WO2026030172 - AUTO CALIBRATED READ WITH WORD LINE LINEAR-RAMP AND EFFICIENT PROGRAM VERIFICATION
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2026/030172
Publication Date
05.02.2026
International Application No.
PCT/US2025/039347
International Filing Date
25.07.2025
Title **
[English]
AUTO CALIBRATED READ WITH WORD LINE LINEAR-RAMP AND EFFICIENT PROGRAM VERIFICATION
[French]
LECTURE AUTO-ÉTALONNÉE AVEC RAMPE LINÉAIRE DE LIGNE DE MOTS ET VÉRIFICATION DE PROGRAMME EFFICACE
Applicants **
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Inventors
TANAKA, Tomoharu
Priority Data
63/677,366
30.07.2024
US
19/280,029
24.07.2025
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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| Number of Office Actions | * |
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International Searching Authority |
MOIP
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| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 3183 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 23534 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2772 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2535 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 9540 |
Total:
41,564
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Abstract[English]
Methods, systems, and devices for techniques for performing a read operation for memory cells are disclosed herein. A word line voltage level is ramped at a first rate of change. Memory cell activation outputs are detected from a subset of the memory cells based on ramping the word line voltage level at the first rate of change. Word line read levels are calibrated for the memory cells based on the detected memory cell activation outputs. The word line voltage level is ramped at a second rate of change, and data stored in the memory cells activated is read when the word line voltage level ramped at the second rate of change reaches the calibrated word line read levels. A reset program verify operation is not applied to memory cells corresponding to at least one stage of the word line based on previously applied programming pulses or program verify operations.[French]
Sont divulgués dans la présente invention des procédés, des systèmes, et des dispositifs destinés à des techniques de réalisation d'une opération de lecture pour des cellules de mémoire. Un niveau de tension de ligne de mots est augmenté progressivement à une première vitesse de changement. Des sorties d'activation de cellule de mémoire sont détectées à partir d'un sous-ensemble des cellules de mémoire sur la base de l'augmentation du niveau de tension de ligne de mots à une première vitesse de changement. Des niveaux de lecture de ligne de mots sont étalonnés pour les cellules de mémoire sur la base des sorties d'activation de cellule de mémoire détectées. Le niveau de tension de ligne de mots est augmenté progressivement à une seconde vitesse de changement, et des données stockées dans les cellules de mémoire activées sont lues lorsque le niveau de tension de ligne de mots augmenté progressivement à la seconde vitesse de changement atteint les niveaux de lecture de ligne de mots étalonnés. Une opération de vérification de programme de réinitialisation n'est pas appliquée à des cellules de mémoire correspondant à au moins un étage de la ligne de mots sur la base d'impulsions de programmation ou d'opérations de vérification de programme précédemment appliquées.