WO2024026142 - ION IMPLANTATION SYSTEM AND METHOD FOR IMPLANTING ALUMINUM USING NON-FLUORINE-CONTAINING HALIDE SPECIES OR MOLECULES
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2024/026142
Publication Date
01.02.2024
International Application No.
PCT/US2023/029096
International Filing Date
31.07.2023
Title **
[English]
ION IMPLANTATION SYSTEM AND METHOD FOR IMPLANTING ALUMINUM USING NON-FLUORINE-CONTAINING HALIDE SPECIES OR MOLECULES
[French]
SYSTÈME D'IMPLANTATION IONIQUE ET PROCÉDÉ D'IMPLANTATION D'ALUMINIUM À L'AIDE D'ESPÈCES OU DE MOLÉCULES D'HALOGÉNURE NE CONTENANT PAS DE FLUOR
Applicants **
AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
Inventors
COLVIN, Neil
SPORLEDER, David
VERKERK, Udo
GUPTA, Atul
MOORE, Edward
BASSOM, Neil
Priority Data
63/393,361
29.07.2022
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
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International Searching Authority |
EPO
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Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 2365 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 14217 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2554 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2728 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 6140 |
Total:
28,004
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Abstract[English]
An ion implantation system, ion source, and method are provided for forming an aluminum ion beam from an aluminum-containing species to an ion source. One or more of a halide species and a halide molecule are introduced to the ion source, where the halide species is selected from a group consisting of atomic chlorine, atomic bromine, and atomic iodine, and the halide molecule comprises a halide selected from a group consisting of chlorine, bromine, and iodine. The one or more of the halide species and the halide molecule clean one or more components of the ion source and further react with the aluminum-containing species to generate an aluminum-halide vapor. The aluminum ion beam is further formed from at least the aluminum-halide vapor.[French]
L'invention fournit un système d'implantation ionique, une source d'ions et un procédé de formation d'un faisceau d'ions aluminium à partir d'une espèce contenant de l'aluminium vers une source d'ions. Une ou plusieurs espèces d'halogénure et une molécule d'halogénure sont introduites dans la source d'ions, l'espèce d'halogénure étant choisie dans un groupe constitué de chlore atomique, de brome atomique et d'iode atomique, et la molécule d'halogénure comprenant un halogénure choisi dans un groupe constitué par le chlore, le brome et l'iode. La ou les espèces d'halogénure et la molécule d'halogénure nettoient un ou plusieurs composants de la source d'ions et réagissent en outre avec les espèces contenant de l'aluminium pour générer une vapeur d'halogénure d'aluminium. Le faisceau d'ions aluminium est en outre formé à partir d'au moins la vapeur d'halogénure d'aluminium.