IP-Coster | WO2025122033 | THE FIRST ATTEMPT DESCRIPTING OF E+ AND WEYL FERMION AS BEAM/CURRENT FOR PUMP/INJECTION SEMICONDUCTOR DEVICES

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1880
EPO	Filing, Examination, Granting	8683
Japan	Filing, Examination, Granting	1486
South Korea	Filing, Examination, Granting	1272
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] The aim of the present beam source is to develop a positron µbeam, which permits it to be the first attempt to describe e+ as beam/current as Pump/Injection semiconductor devices. The concept of type I: positron beam source is to be an alternative source to electron beam and to harness the generation of γ-ray radiations inside the semiconductor heterostructures. Also, type II: Weyl fermions for its high mobility are described how they used a beam of antimatter particles to not only examine for defects in a semiconductor as well as for semiconductor devices injection. Type I: the positron beam's high energies (up to several hundred keV or even tens of MeV), but the limit should follow the same electron range because it is possible to convert an electron into a positron and use either one as a source for pumping materials. This will prevent defects from forming in positron-pumped materials, which would cause a rapid degradation of the materials properties. Type II: the transformation to Weyl fermions, which are considered to carry electric charge via a device far more quickly than ordinary electrons. Weyl electrons are considered to transfer electric current at least twice as quickly as graphene electrons and at least 1,000 times faster than electrons in ordinary semiconductors, according to the most recent studies. In an effort to further this field of study, this patent is harnessing the Weyl electrons as beam/current in Pump/Injection semiconductor devices.[French] L'objectif de la présente source de faisceau est de développer un microfaisceau de positrons, ce qui lui permet d'être la première tentative de description d’un e + en tant que faisceau/courant pour des dispositifs semi-conducteurs de pompage/d’injection. Le concept de type I : la source de faisceau de positrons doit être une source alternative au faisceau d'électrons et permettre d’exploiter la génération de rayonnements gamma à l'intérieur des hétérostructures semi-conductrices. De plus, le type II : Des fermions de Weyl, présentant une grande mobilité, sont décrits pour la façon dont ils utilisent un faisceau de particules d’antimatière non seulement pour examiner les défauts dans un semi-conducteur mais aussi pour l'injection dans des dispositifs semi-conducteurs. Type I : les hautes énergies du faisceau de positrons (jusqu'à plusieurs centaines de keV voire des dizaines de MeV), mais la limite devrait suivre la même plage d'électrons car il est possible de convertir un électron en un positron et d'utiliser l'un ou l'autre comme source pour les matériaux de pompage. Ceci empêche la formation de défauts dans les matériaux pompés par positrons qui entraînerait une dégradation rapide des propriétés des matériaux. Type II : la transformation en fermions de Weyl, qui sont réputés transporter une charge électrique par l'intermédiaire d'un dispositif beaucoup plus rapidement que les électrons ordinaires. Selon les études les plus récentes, les électrons de Weyl sont réputés transférer un courant électrique au moins deux fois plus rapidement que les électrons du graphène et au moins 1 000 fois plus rapidement que les électrons de semi-conducteurs ordinaires. Dans le but de faire progresser ce domaine d'étude, ce brevet exploite les électrons de Weyl en tant que faisceau/courant dans des dispositifs semi-conducteurs de pompage/d’injection.

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Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Natural Person *
All Applicants are Authors	*
Small Entity, US	*
Micro Entity, US	*
Applicant's annual total income is below JPY 2.5 million	*
Applicant's annual total income is below JPY 1.5 million	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2025122033 - THE FIRST ATTEMPT DESCRIPTING OF E+ AND WEYL FERMION AS BEAM/CURRENT FOR PUMP/INJECTION SEMICONDUCTOR DEVICES

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