WO2024176174 - FIELD PLATE BIASING OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
National phase entry:
Publication Number
WO/2024/176174
Publication Date
29.08.2024
International Application No.
PCT/IB2024/051736
International Filing Date
22.02.2024
Title **
[English]
FIELD PLATE BIASING OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
[French]
POLARISATION DE PLAQUE DE CHAMP D'UN TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE
Applicants **
INFINEON TECHNOLOGIES CANADA INC.
Inventors
ZUNIGA, Marco A.
MACELWEE, Thomas
SAMSI, Rohan
MILNER, Lucas
UNNI, Vineet
PRASAD, Jayasimha
JOHARAPURKAR, Ashutosh
KARPUR, Ramesh
Priority Data
18/172,916
22.02.2023
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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International Searching Authority |
CIPO
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
* |
| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1264 | |
| EPO | Filing, Examination | 8703 | |
| Japan | Filing | 590 | |
| South Korea | Filing | 574 | |
| USA | Filing, Examination | 2710 |
Total:
13,841
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
Abstract[English]
The biasing of one or more field plates of a high electron mobility transistor (a HEMT) with a non-zero voltage to thereby affect the electric field profile of the HEMT. The non-zero voltage may be a constant DC voltage, or perhaps may be a voltage that changes over time. The use of a non-zero voltage allows for greater ability to regulate and reduce the electric field occurring in the semiconductor channel region, especially at the field plate. Further, when the electric field occurring at the field plate is reduced, the overall size of the HEMT can also be reduced as compared to applying a zero voltage to the field plate. Alternatively, or in addition, applying a non-zero voltage to the field plate allows the voltage levels handled by the HEMT to be increased as compared to simply grounding the field plate.[French]
L'invention concerne la polarisation d'une ou plusieurs plaques de champ d'un transistor à haute mobilité électronique (un HEMT) avec une tension non nulle pour avoir ainsi un effet sur le profil de champ électrique du HEMT. La tension non nulle peut être une tension continue constante, ou peut-être une tension qui change au fil du temps. L'utilisation d'une tension non nulle permet une plus grande capacité de régulation et de réduction du champ électrique se produisant dans la région de canal semi-conducteur, en particulier au niveau de la plaque de champ. De plus, lorsque le champ électrique se produisant au niveau de la plaque de champ est réduit, la taille globale du HEMT peut également être réduite par rapport à l'application d'une tension nulle à la plaque de champ. En variante, ou en outre, l'application d'une tension non nulle à la plaque de champ permet d'augmenter les niveaux de tension gérés par le HEMT par rapport à simplement la mise à la terre de la plaque de champ.