WO2024176172 - DESATURATION PROTECTION OF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2024/176172
Publication Date
29.08.2024
International Application No.
PCT/IB2024/051733
International Filing Date
22.02.2024
Title **
[English]
DESATURATION PROTECTION OF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
[French]
PROTECTION CONTRE LA DÉSATURATION D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE
Applicants **
INFINEON TECHNOLOGIES CANADA INC.
Inventors
XING, Nan
XIA, Yinglai
LI, Yalong
ZHANG, Zhemin
Priority Data
18/172,922
22.02.2023
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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International Searching Authority |
CIPO
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1264 | |
| EPO | Filing, Examination | 8708 | |
| Japan | Filing | 590 | |
| South Korea | Filing | 574 | |
| USA | Filing, Examination | 2710 |
Total:
13,846
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
Abstract[English]
Desaturation protection for a power field-effect transistor. The desaturation protection circuit includes the power field-effect transistor and a sense field-effect transistor that each have threshold voltages that are approximately the same. The sense field-effect transistor shares a gate terminal with the power field-effect transistor and shares a drain terminal with the power field-effect transistor. The circuit also includes a comparator having a first input terminal connected to a source terminal of the sense field- effect transistor, and having a second input terminal connected to a voltage source that is an offset voltage below a supply voltage. The circuit also includes a pull-up network configured to cause the output of the comparator to represent a state of whether the sense field-effect transistor is on or off, and can directly drive the turning off of the power transistor.[French]
La présente divulgation concerne la protection contre la désaturation pour un transistor à effet de champ de puissance. Le circuit de protection contre la désaturation comprend le transistor à effet de champ de puissance et un transistor à effet de champ de détection qui ont chacun des tensions de seuil qui sont approximativement identiques. Le transistor à effet de champ de détection partage une borne de grille avec le transistor à effet de champ de puissance et partage une borne de drain avec le transistor à effet de champ de puissance. Le circuit comprend également un comparateur ayant une première borne d'entrée connectée à une borne de source du transistor à effet de champ de détection, et ayant une deuxième borne d'entrée connectée à une source de tension qui est une tension de décalage inférieure à une tension d'alimentation. Le circuit comprend également un réseau d'excursion haute configuré pour amener la sortie du comparateur à représenter un état de marche ou d'arrêt du transistor à effet de champ de détection, et peut entraîner directement l'extinction du transistor de puissance.