WO2024261509 - MULTI-STEP FORMING FOR A RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY (RERAM)
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2024/261509
Publication Date
26.12.2024
International Application No.
PCT/IB2023/000394
International Filing Date
22.06.2023
Title **
[English]
MULTI-STEP FORMING FOR A RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY (RERAM)
[French]
FORMATION EN PLUSIEURS ÉTAPES POUR UNE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE (RERAM)
Applicants **
WEEBIT NANO LTD.
24 Hanagar Street
4527713 Hod Hasharon, IL
Inventors
MOLAS, Gabriel
c/o Weebit Nano Ltd.
24 Hanagar Street
4527713 Hod Hasharon, IL
PICCOLBONI, Giuseppe
c/o Weebit Nano Ltd.
24 Hanagar Street
4527713 Hod Hasharon, IL
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
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International Searching Authority |
ILPO
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Recalculate
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1119 | |
| EPO | Filing, Examination | 7470 | |
| Japan | Filing | 597 | |
| South Korea | Filing | 483 | |
| USA | Filing, Examination | 2710 |
Total: 12379 USD
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
Abstract[English]
Prior to using a resistive random-access memory (ReRAM) for the first time a process of forming needs to take place. In this process the filaments of each ReRAM cell are set to a low resistance state (LRS), from an unknown or a high resistance state (HRS). To prevent stress on selector devices of neighboring that have already been formed into an LRS a multi-step forming process is provided. The process begins by applying a high-voltage at a low current and then decreasing the high-voltage to a lower voltage and increasing the current to a higher current. At the last step of forming a low-voltage high-current is applied. At no time any of the selector devices is exposed to stress due to application of a drain-to-source voltage drop that exceeds the selector device limits. The drain-to-source voltage drop may be determined by the current flowing through the selector device.[French]
Avant d'utiliser une mémoire vive résistive (ReRAM) pour la première fois, un processus de formation doit avoir lieu. Dans ce processus, les filaments de chaque cellule ReRAM sont réglés à un état à faible résistance (LRS), à partir d'un état inconnu ou d'un état à résistance élevée (HRS). Pour empêcher une contrainte sur des dispositifs sélecteurs de voisinage qui ont déjà été formés dans un LRS, un processus de formation en plusieurs étapes est fourni. Le processus commence par l'application d'une tension élevée à un courant faible, puis par la diminution de la tension élevée à une tension inférieure et par l'augmentation du courant à un courant plus élevé. À la dernière étape de formation d'une tension basse, un courant élevé est appliqué. Aucun des dispositifs sélecteurs n'est exposé à une contrainte due à l'application d'une chute de tension drain-source qui dépasse les limites du dispositif sélecteur. La chute de tension drain-source peut être déterminée par le courant circulant à travers le dispositif sélecteur.