WO2024261508 - TRI-LAYER SELECTOR DEVICE FOR A RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY (RERAM)
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2024/261508
Publication Date
26.12.2024
International Application No.
PCT/IB2023/000386
International Filing Date
22.06.2023
Title **
[English]
TRI-LAYER SELECTOR DEVICE FOR A RESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY (RERAM)
[French]
DISPOSITIF SÉLECTEUR À TROIS COUCHES POUR UNE MÉMOIRE RÉSISTIVE NON VOLATILE (RRAM)
Applicants **
WEEBIT NANO LTD.
24 Hanagar Street
4527713 Hod Hasharon, IL
Inventors
VERDY, Anthonin
c/o Weebit Nano Ltd.
24 Hanagar Street
4527713 Hod Hasharon, IL
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
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| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
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International Searching Authority |
ILPO
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Recalculate
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1372 | |
| EPO | Filing, Examination | 10835 | |
| Japan | Filing | 533 | |
| South Korea | Filing | 482 | |
| USA | Filing, Examination | 8435 |
Total: 21657 USD
Abstract[English]
A diode-like structure is used as a selector for resistance switching in resistive random-access memories (ReRAMs). Typically, a ReRAM is logically organized as a matrix structure of resistive switches connected therebetween in rows and columns as may be appropriate. The diode-like structure is used in each junction of a row and a column as part of a memory cell. In order to provide a reduced leakage current without degradation of an ON current, the diode-like structure includes an intermediate Silicon (Si) layer of a second thickness which is in-between two dielectric layers each of a first thickness, wherein the second thickness is equal to or larger than the first thickness.[French]
Une structure de type diode est utilisée comme sélecteur pour la commutation de résistance dans des mémoires résistives non volatiles (mémoires RRAM). Typiquement, une mémoire RRAM est logiquement organisée sous la forme d'une structure matricielle de commutateurs résistifs connectés entre eux en rangées et en colonnes comme cela peut être approprié. La structure de type diode est utilisée dans chaque jonction d'une rangée et d'une colonne en tant que partie d'une cellule de mémoire. Afin de fournir un courant de fuite réduit sans dégradation d'un courant de marche, la structure de type diode comprend une couche de silicium intermédiaire (Si) d'une seconde épaisseur qui se trouve entre deux couches diélectriques chacune d'une première épaisseur, la seconde épaisseur étant égale ou supérieure à la première épaisseur.