WO2023037278 - EPITAXIAL REACTOR WITH VARIABLE THERMAL INSULATION
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2023/037278
Publication Date
16.03.2023
International Application No.
PCT/IB2022/058451
International Filing Date
08.09.2022
Title **
[English]
EPITAXIAL REACTOR WITH VARIABLE THERMAL INSULATION
[French]
RÉACTEUR ÉPITAXIAL À ISOLATION THERMIQUE VARIABLE
Applicants **
SPECIALE, Natale
Via G. Pogliani, 26
I-20037 Paderno Dugnano (MI), IT
Inventors
SPECIALE, Natale
Via G. Pogliani, 26
I-20037 Paderno Dugnano (MI), IT
Priority Data
102021000023309
09.09.2021
IT
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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International Searching Authority |
EPO
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| Applicant's Legal Status |
Natural Person
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Recalculate
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1017 | |
| EPO | Filing, Examination | 3571 | |
| Japan | Filing | 595 | |
| South Korea | Filing | 574 | |
| USA | Filing, Examination | 2710 |
Total: 8467 USD
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Abstract[English]
The reactor (1000) for epitaxial deposition of semiconductor material on substrates comprises a reaction and deposition chamber (100) of box-like shape and adapted to house substrates; the substrates are adapted to be placed on a susceptor located in the chamber (100): at least a lower wall or an upper wall of the reaction and deposition chamber (100) there is a thermal insulating plate (151, 152) adapted to take at least a first position and a second position; when the plate takes said first position it provides a first level of thermal insulation to the chamber (100) from the surrounding environment; when the plate takes said second position it provides a second level of thermal insulation to the reaction and deposition chamber (100) from the surrounding environment; the first thermal insulation level is greater than the second thermal insulation level.[French]
L'invention concerne un réacteur (1000) destiné au dépôt épitaxial de matériau semi-conducteur sur des substrats, comprenant une chambre de réaction et de dépôt (100) de forme de type boîte et conçue pour loger des substrats ; les substrats sont conçus pour être placés sur un suscepteur situé dans la chambre (100) : au moins une paroi inférieure ou une paroi supérieure de la chambre de réaction et de dépôt (100) présente une plaque d'isolation thermique (151, 152) conçue pour adopter au moins une première position et une deuxième position ; lorsque la plaque adopte ladite première position, elle fournit un premier niveau d'isolation thermique à la chambre (100) par rapport à l'environnement ambiant ; lorsque la plaque adopte ladite deuxième position, elle fournit un deuxième niveau d'isolation thermique à la chambre de réaction et de dépôt (100) par rapport à l'environnement ambiant ; le premier niveau d'isolation thermique est supérieur au deuxième niveau d'isolation thermique.