WO2022167868 - A LAYERED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A PATTERNING COATING COMPRISING A HOST AND A DOPANT
National phase entry:
Publication Number
WO/2022/167868
Publication Date
11.08.2022
International Application No.
PCT/IB2022/000066
International Filing Date
08.02.2022
Title **
[English]
A LAYERED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A PATTERNING COATING COMPRISING A HOST AND A DOPANT
[French]
DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN COUCHES COMPRENANT UN REVÊTEMENT DE FORMATION DE MOTIF COMPRENANT UN HÔTE ET UN DOPANT
Applicants **
OTI LUMIONICS INC.
3415 American Drive
Mississauga, ON L4V 1T4, CA
Inventors
HELANDER, Michael
298 Jarvis Street, Suite 904
Toronto, ON M5B 2M4, CA
WANG, Zhibin
44 St. Joseph Street, Unit #1102
Toronto, ON M4Y 2W4, CA
CHANG, Yi-lu
11 Wharton Square
Scarborough, ON M1V 4M8, CA
WANG, Qi
880 Grandview Way, Unit #709
North York, ON M2N 7B2, CA
GENIN, Scott, Nicholas
31 Ritter Crescent
Unionville, ON L3R 4K4, CA
Priority Data
63/289,599
14.12.2021
US
63/158,185
08.03.2021
US
63/146,970
08.02.2021
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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International Searching Authority |
CIPO
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Recalculate
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 7922 | |
| EPO | Filing, Examination | 88902 | |
| Japan | Filing | 594 | |
| South Korea | Filing | 640 | |
| USA | Filing, Examination | 27860 |
Total: 125918 USD
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
Abstract[English]
A layered semiconductor device comprising a patterning coating deposited on an exposed layer surface of an underlying layer in a first portion of a lateral aspect is adapted to impact a propensity of a vapor flux of a deposited material to be condensed thereon, the patterning coating comprising a first and a second material exhibiting a respective first and second at least one material property. The patterning coating exhibits a third at least one material property that is different from at least one of the first and second at least one material property in terms of at least one of: a combination and a value thereof. The third at least one material property differentiates the exposed layer surface of the underlying layer from the exposed layer surface of the patterning coating.[French]
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur en couches comprenant un revêtement de formation de motif déposé sur une surface de couche exposée d'une couche sous-jacente dans une première partie d'un aspect latéral qui est apte à impacter une propension d'un flux de vapeur d'un matériau déposé à condenser sur ce dernier, le revêtement de formation de motif comprenant un premier matériau et un second matériau présentant une première et une deuxième au moins une propriété respective de matériau. Le revêtement de formation de motif présente une troisième au moins une propriété de matériau qui est différente de la première et/ou de la deuxième au moins une propriété de matériau en termes d'au moins une composante entre : leur combinaison et leur valeur. La troisième au moins une propriété de matériau différencie la surface de couche exposée de la couche sous-jacente de la surface de couche exposée du revêtement de formation de motif.