WO2023084283 - EPITAXIAL OXIDE MATERIALS, STRUCTURES, AND DEVICES
National phase entry:
Publication Number
WO/2023/084283
Publication Date
19.05.2023
International Application No.
PCT/IB2021/060466
International Filing Date
11.11.2021
Title **
[English]
EPITAXIAL OXIDE MATERIALS, STRUCTURES, AND DEVICES
[French]
MATÉRIAUX D'OXYDE ÉPITAXIAL, STRUCTURES ET DISPOSITIFS
Applicants **
SILANNA UV TECHNOLOGIES PTE LTD
10 Collyer Quay
#10-01 Ocean Financial Centre
Singapore 049315, SG
Inventors
ATANACKOVIC, Petar
37 Brandl Street
Eight Mile Plains, Queensland 4113, AU
Priority Data
PCT/IB2021/060413
10.11.2021
IB
PCT/IB2021/060414
10.11.2021
IB
PCT/IB2021/060427
10.11.2021
IB
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
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International Searching Authority |
MOIP
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| Applicant's Legal Status |
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 9152 | |
| EPO | Filing, Examination | 58476 | |
| Japan | Filing | 591 | |
| South Korea | Filing | 640 | |
| USA | Filing, Examination | 34910 |
Total: 103769 USD
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
Abstract[English]
A semiconductor structure can include two or more epitaxial oxide materials with different properties, such as compositions, crystal symmetries, or bandgaps. The semiconductor structures can comprise one or more epitaxial oxide layers formed on a compatible substrate with in-plane lattice parameters and atomic positions that provide a suitable template for the growth of the epitaxial oxide materials. One or more of the epitaxial oxide materials can be strained. One or more of the epitaxial oxide materials can be doped n- or p-type. The semiconductor structure can comprise a superlattice with epitaxial oxide materials. The semiconductor structure can comprise a chirp layer with epitaxial oxide materials. The semiconductor structures can be a portion of a semiconductor device, such as an optoelectronic device, a light emitting diode, a laser diode, a photodetector, a solar cell, a high-power diode, a high-power transistor, a transducer, or a high electron mobility transistor.[French]
L'invention concerne une structure semi-conductrice pouvant comprendre deux matériaux d'oxyde épitaxial ou plus présentant des propriétés différentes, telles que des compositions, des symétries cristallines ou des bandes interdites. Les structures semi-conductrices peuvent comprendre une ou plusieurs couches d'oxyde épitaxial formées sur un substrat compatible avec des paramètres de réseau dans le plan et des positions atomiques qui fournissent un gabarit approprié pour la croissance des matériaux d'oxyde épitaxial. Un ou plusieurs des matériaux d'oxyde épitaxial peuvent être contraints. Un ou plusieurs des matériaux d'oxyde épitaxial peuvent être de type n ou p dopé. La structure semi-conductrice peut comprendre un super-réseau avec des matériaux d'oxyde épitaxial. La structure semi-conductrice peut comprendre une couche de fluctuation de longueur d'onde avec des matériaux d'oxyde épitaxial. Les structures semi-conductrices peuvent être une partie d'un dispositif semi-conducteur, tel qu'un dispositif optoélectronique, une diode électroluminescente, une diode laser, un photodétecteur, une cellule solaire, une diode haute puissance, un transistor haute puissance, un transducteur ou un transistor à haute mobilité d'électrons.