WO2023084274 - EPITAXIAL OXIDE MATERIALS, STRUCTURES, AND DEVICES
National phase entry:
Publication Number
WO/2023/084274
Publication Date
19.05.2023
International Application No.
PCT/IB2021/060413
International Filing Date
10.11.2021
Title **
[English]
EPITAXIAL OXIDE MATERIALS, STRUCTURES, AND DEVICES
[French]
MATÉRIAUX OXYDES ÉPITAXIAUX, STRUCTURES ET DISPOSITIFS
Applicants **
SILANNA UV TECHNOLOGIES PTE LTD
10 Collyer Quay
#10-01 Ocean Financial Centre
Singapore 049315, SG
Inventors
ATANACKOVIC, Petar
37 Brandl Street
Eight Mile Plains, Queensland 4113, AU
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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International Searching Authority |
MOIP
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Recalculate
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 7763 | |
| EPO | Filing, Examination | 59621 | |
| Japan | Filing | 588 | |
| South Korea | Filing | 482 | |
| USA | Filing, Examination | 26510 |
Total: 94964 USD
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Abstract[English]
where 0≤x≤1, 1≤y≤3, and 2≤z≤4. The semiconductor structure can include one or more superlattices comprising epitaxial oxide materials. The semiconductor structure can include one or more doped superlattices comprising host layers and impurity layers, wherein the host layers comprise an epitaxial oxide material. The semiconductor structure can include one or more graded layers or regions comprising epitaxial oxide materials. The semiconductor structure can include one or more chirp layers comprising epitaxial oxide materials. In some cases, the chirp layer can be adjacent to a metal layer. The semiconductor structure can be a portion of a semiconductor device, such as an optoelectronic device, a light emitting diode, a laser diode, a photodetector, a solar cell, a high-power diode, a high-power transistor, a transducer, or a high electron mobility transistor.[French]
, où 0 ≤ x ≤ 1, 1 ≤ y ≤ 3 et 2 ≤ z ≤ 4. La structure semiconductrice peut comprendre un ou plusieurs super-réseaux comprenant des matériaux oxydes épitaxiaux. La structure semiconductrice peut comprendre un ou plusieurs super-réseaux dopés comprenant des couches hôtes et des couches d’impuretés, les couches hôtes comprenant un matériau oxyde épitaxial. La structure semiconductrice peut comprendre une ou plusieurs couches ou régions à gradient comprenant des matériaux oxydes épitaxiaux. La structure semiconductrice peut comprendre une ou plusieurs couches de modulation de type « chirp » comprenant des matériaux oxydes épitaxiaux. Dans certains cas, la couche de modulation de type « chirp » peut être adjacente à une couche métallique. La structure semiconductrice peut être une partie d’un dispositif semiconducteur tel qu’un dispositif optoélectronique, une diode électroluminescente, une diode laser, un photodétecteur, une cellule solaire, une diode haute puissance, un transistor haute puissance, un transducteur et un transistor à mobilité élevée d’électrons.