IP-Coster | WO2026032858 | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR FOILS

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	2024
EPO	Filing, Examination, Granting	8126
Japan	Filing, Examination, Granting	2155
South Korea	Filing, Examination, Granting	2071
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] The present invention describes a process for the production of a semiconductor foil, comprising the steps of: providing a first semiconductor substrate having a top surface and bottom surface; forming a plurality of open cavities at the top surface of the first semiconductor substrate; annealing the first semiconductor substrate, thereby obtaining a cap foil on top of said cavities wherein the cap foil covers the plurality of open cavities thereby forming a plurality of closed pores and a plurality of solid support structures extending between the first semiconductor substrate and the obtained cap foil and being separated by the plurality of pores; detaching the cap foil by detachment means, thereby breaking the solid support structures and obtaining the semiconductor foil, and a second semiconductor substrate comprising fractured support structures; characterized in that the solid support structures are arranged along two distinct directions x and y, wherein the mean pitch along the x direction is smaller than the mean pitch along the y direction; and, wherein the detaching starts from a side along the direction with a wider mean pitch between the solid support structures. The introduction of a completely different geometry of the solid support structures with varying pitch in the x and y direction allows for the simultaneous achievement of strong adhesion force for semiconductor processing and improved detachability. The arrangement of the solid support structures and the choice of the detachment direction play an important role in this process.[French] La présente invention décrit un procédé de production d'une feuille semi-conductrice, comprenant les étapes consistant à : fournir un premier substrat semi-conducteur présentant une surface supérieure et une surface inférieure ; former une pluralité de cavités ouvertes au niveau de la surface supérieure du premier substrat semi-conducteur ; recuire le premier substrat semi-conducteur, ce qui permet d'obtenir une feuille de capuchon au-dessus desdites cavités, la feuille de capuchon recouvrant la pluralité de cavités ouvertes formant ainsi une pluralité de pores fermés et une pluralité de structures de support solides s'étendant entre le premier substrat semi-conducteur et la feuille de capuchon obtenue et étant séparées par la pluralité de pores ; détacher la feuille de capuchon par un moyen de détachement, ce qui permet de rompre les structures de support solides et d'obtenir la feuille semi-conductrice, et un second substrat semi-conducteur comprenant des structures de support fracturées ; remarquable en ce que les structures de support solides sont agencées le long de deux directions distinctes x et y, le pas moyen le long de la direction x étant inférieur au pas moyen le long de la direction y ; et le détachement commençant à partir d'un côté le long de la direction avec un pas moyen plus large entre les structures de support solides. L'introduction d'une géométrie complètement différente des structures de support solides à pas variable dans la direction x et y permet d'obtenir simultanément une forte force d'adhérence pour le traitement de semi-conducteurs et une capacité de détachement améliorée. L'agencement des structures de support solides et le choix de la direction de détachement jouent un rôle important dans le présent processus.

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	EPO *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026032858 - PROCESS FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR FOILS

Quotation for National Phase entry

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