WO2025219103 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NANOKANALS
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/219103
Publication Date
23.10.2025
International Application No.
PCT/EP2025/059219
International Filing Date
04.04.2025
Title **
[German]
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NANOKANALS
[English]
METHOD FOR PRODUCING A NANOCHANNEL
[French]
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN NANOCANAL
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
LAERMER, Franz
VUKASIN, Gabrielle
JOHNSON, Christopher
YAMA, Gary
DARVISH, Armin
PANTEL, Daniel
HUEBNER, Martina
OTT, Jonas
SCHARF, Robert
SHIN, Young Shik
Priority Data
102024203436.3
15.04.2024
DE
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
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EPO
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Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 2053 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 8624 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2183 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2133 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
19,733
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Abstract[German]
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nanokanals (200) beschrieben mit nachfolgenden Schritten a) Abscheiden einer Nanokanal-Opferschicht (3) mit einem ALD-Prozess auf einem Substrat (1), wobei diese die spätere Kanalhöhe zumindest an einer Stelle definiert b) Abscheiden einer ersten Abdeckschicht (4) auf die Nanokanal-Opferschicht (3) c) Zumindest teilweises Strukturieren und/oder Ätzen der Nanokanal-Opferschicht (3) und der ersten Abdeckschicht (4) sodass ein erster freiliegender Bereich (10) entsteht d) Zumindest teilweises Ätzen der nun offenliegenden Nanokanal-Opferschicht (3) mit einer Ätzrate < 100nm/min, bevorzugt <10nm/min, und besonders bevorzugt <5nm/min und noch mehr bevorzugt <2nm/min, sodass ein unterätzter zweiter freiliegender Bereich (20) entsteht, welcher die Kanalbreite definiert e) Abscheiden einer zweiten Abdeckschicht (5) auf die erste Abdeckschicht (4) und den ersten freiliegenden Bereich (10), sodass der zweite freiliegende Bereich (20) abgedichtet ist und einen Nanokanal (200) bildet.[English]
The invention relates to a method for producing a nanochannel (200), comprising the following steps: a) depositing a nanochannel sacrificial layer (3) on a substrate (1) by means of an ALD process, wherein the nanochannel sacrificial layer defines the later channel height at least at one point; b) depositing a first cover layer (4) on the nanochannel sacrificial layer (3); c) at least partially structuring and/or etching the nanochannel sacrificial layer (3) and the first cover layer (4) such that a first exposed region (10) is formed; d) at least partially etching the now exposed nanochannel sacrificial layer (3) at an etching rate of < 100nm/min, preferably <10nm/min, and particularly preferably <5nm/min and yet more preferably <2nm/min, such that an underetched second exposed region (20) is formed which defines the channel width; e) depositing a second cover layer (5) on the first cover layer (4) and the first exposed region (10) such that the second exposed region (20) is sealed and forms a nanochannel (200).[French]
L'invention concerne un procédé de production d'un nanocanal (200), comprenant les étapes suivantes consistant à : a) déposer une couche sacrificielle de nanocanal (3) sur un substrat (1) au moyen d'un processus ALD, la couche sacrificielle de nanocanal définissant la hauteur de canal ultérieure au moins en un point ; b) déposer une première couche de recouvrement (4) sur la couche sacrificielle de nanocanal (3) ; c) structurer et/ou graver au moins partiellement la couche sacrificielle de nanocanal (3) et la première couche de recouvrement (4) de telle sorte qu'une première région exposée (10) soit formée ; d) graver au moins partiellement la couche sacrificielle de nanocanal (3) désormais exposée à une vitesse de gravure < 100 nm/min, de préférence < 10 nm/min, et de manière particulièrement préférée < 5 nm/min et encore plus préférablement < 2 nm/min, de telle sorte qu'une seconde région exposée sous-gravée (20) soit formée, ce qui définit la largeur de canal ; e) déposer une seconde couche de recouvrement (5) sur la première couche de recouvrement (4) et la première région exposée (10) de telle sorte que la seconde région exposée (20) soit scellée et forme un nanocanal (200).