WO2025210000 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER DRIFTZONE MIT P-DOTIERTEN BEREICHEN EINES SUPERJUNCTION-LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENTS UND EIN SUPERJUNCTION-LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENT

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Publication Number WO/2025/210000
Publication Date 09.10.2025
International Application No. PCT/EP2025/058781
International Filing Date 01.04.2025
Title **
[German] VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER DRIFTZONE MIT P-DOTIERTEN BEREICHEN EINES SUPERJUNCTION-LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENTS UND EIN SUPERJUNCTION-LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENT
[English] METHOD FOR PRODUCING A DRIFT ZONE WITH P-DOPED REGIONS IN A SUPERJUNCTION POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND A SUPERJUNCTION POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT
[French] PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE ZONE DE DÉRIVE AVEC DES RÉGIONS DOPÉES P DANS UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE À SUPERJONCTION, ET COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE À SUPERJONCTION
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
HEYERS, Klaus
SCHOSER, Siegmar
NUFER, Stefan
BARINGHAUS, Jens
Priority Data
102024203093.7   04.04.2024   DE
Application details
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EPO Filing, Examination, Granting8126
Japan Filing, Examination, Granting1908
South Korea Filing, Examination, Granting1569
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Abstract[German] Verfahren (100) zum Herstellen einer Driftzone mit p-dotierten Bereichen eines Superjunction-Leistungshalbleiterbauelements mit den Schritten Erzeugen (110) einer Sollbruchstelle innerhalb einer homoepitaktischen Schicht eines n-dotierten Halbleitermaterials mittels Wasserstoffionenimplantation, wobei die hompepitaktische Schicht auf einem hochdotierten ersten Wide-Bandgap Spenderwafer angeordnet ist, Erzeugen (120) einer leitfähigen Schicht zwischen einem hochleitfähigen zweiten Wide-Bandgap Wafer und der homoepitaktischen Schicht durch Aufbringen des hochleitfähigen zweiten Wide-Bandgap Wafers auf die homoepitaktische Schicht mittels Bondings, Erzeugen (130) einer Driftschicht auf dem zweiten Wide-Bandgap Wafer durch Abspalten des zweiten Wide-Bandgap Wafers vom ersten Wide-Bandgap Spenderwafer an der Sollbruchstelle der homoepitaktischen Schicht, Aufbringen (140) eines Fotolacks auf die Driftschicht, Erzeugen (150) einer Maske mittels Fotolithografie des Fotolacks, wobei Bereiche der Driftschicht freigelegt werden, und Erzeugen (160) der p-dotierten Bereiche in den freigelegten Bereichen der Driftschicht mittels Ionenimplantation, wobei die p-dotierten Bereiche dieselbe Schichtdicke aufweisen wie die Driftschicht.[English] The invention relates to a method (100) for producing a drift zone with p-doped regions in a superjunction power semiconductor component, comprising the steps of: generating (110) a predetermined breaking point within a homoepitaxial layer of an n-doped semiconductor material by means of hydrogen ion implantation, the homoepitaxial layer being arranged on a highly doped first wide-bandgap donor wafer; generating (120) a conductive layer between a highly conductive second wide-bandgap wafer and the homoepitaxial layer by applying the highly conductive second wide-bandgap wafer to the homoepitaxial layer by means of bonding; generating (130) a drift layer on the second wide-bandgap wafer by splitting off the second wide-bandgap wafer from the first wide-bandgap donor wafer at the predetermined breaking point of the homoepitaxial layer; applying (140) a photoresist to the drift layer; generating (150) a mask by means of photolithography of the photoresist, wherein regions of the drift layer are exposed; and generating (160) the p-doped regions in the exposed regions of the drift layer by means of ion implantation, the p-doped regions having the same layer thickness as the drift layer.[French] L'invention concerne un procédé (100) de production d'une zone de dérive avec des régions dopées p dans un composant à semi-conducteur de puissance à superjonction, comprenant les étapes consistant à : générer (110) un point de rupture prédéterminé à l'intérieur d'une couche homoépitaxiale d'un matériau semi-conducteur dopé n au moyen d'une implantation d'ions hydrogène, la couche homoépitaxiale étant agencée sur une première tranche donneuse à large bande interdite hautement dopée ; générer (120) une couche conductrice entre une seconde tranche à large bande interdite hautement conductrice et la couche homoépitaxiale par application de la seconde tranche à large bande interdite hautement conductrice sur la couche homoépitaxiale au moyen d'une liaison ; générer (130) une couche de dérive sur la seconde tranche à large bande interdite en séparant la seconde tranche à large bande interdite de la première tranche donneuse à large bande interdite au point de rupture prédéterminé de la couche homoépitaxiale ; appliquer (140) une résine photosensible sur la couche de dérive ; générer (150) un masque au moyen d'une photolithographie de la résine photosensible, les régions de la couche de dérive étant exposées ; et générer (160) les régions dopées p dans les régions exposées de la couche de dérive au moyen d'une implantation ionique, les régions dopées p ayant la même épaisseur de couche que la couche de dérive.