WO2024251553 - VERFAHREN ZUM BETRIEB EINER HALBBRÜCKE, TREIBERSCHALTUNG UND STROMWANDLER MIT DER TREIBERSCHALTUNG
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2024/251553
Publication Date
12.12.2024
International Application No.
PCT/EP2024/064552
International Filing Date
27.05.2024
Title **
[German]
VERFAHREN ZUM BETRIEB EINER HALBBRÜCKE, TREIBERSCHALTUNG UND STROMWANDLER MIT DER TREIBERSCHALTUNG
[English]
METHOD FOR OPERATING A HALF-BRIDGE, DRIVER CIRCUIT, AND POWER CONVERTER COMPRISING THE DRIVER CIRCUIT
[French]
PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT D'UN DEMI-PONT, CIRCUIT D'ATTAQUE, ET CONVERTISSEUR DE PUISSANCE COMPRENANT LE CIRCUIT D'ATTAQUE
Applicants **
SMA SOLAR TECHNOLOGY AG
Sonnenallee 1
34266 Niestetal, DE
Inventors
WIEHR, Anne
Motzstraße 5
34117 Kassel, DE
HERMELING, Dirk
Auf der Heide 41
32469 Petershagen, DE
WAPPLER, Thomas
Weserring 31
34302 Guxhagen, DE
RIGBERS, Klaus
Dawesbreite 34
37079 Göttingen, DE
Priority Data
102023114786.2
06.06.2023
DE
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
| * | |
| * | |
International Searching Authority |
EPO
* |
| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
* |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| Entry into National Phase under |
Chapter I
* |
| Translation |
|
Recalculate
* The data is based on automatic recognition. Please verify and amend if necessary.
** IP-Coster compiles data from publicly available sources. If this data includes your personal information, you can contact us to request its removal.
Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1255 | |
| EPO | Filing, Examination | 5633 | |
| Japan | Filing | 531 | |
| South Korea | Filing | 575 | |
| USA | Filing, Examination | 2635 |
Total: 10629 USD
Abstract[German]
s an dem ausgeschalteten Halbleiterschalter (110, 120) einem Spannungs-Peak (221) entgegenwirkt, der durch einen Schaltvorgang des jeweils anderen Halbleiterschalters (120, 110) der Halbbrücke (100) erzeugt wird und in Abhängigkeit von dem Schaltvorgang des jeweils anderen Halbleiterschalters (120, 110) erfolgt. Die Anmeldung beschreibt weiterhin eine zur Durchführung des Verfahrensschritts ausgelegte Treiberschaltung (1) und einen Stromwandler mit einer derartigen Treiberschaltung (1).[English]
at the deactivated semiconductor switch (110, 120) counteracts a voltage peak (221) which is produced by a switching process of the respective other semiconductor switch (120, 110) of the half-bridge (100) and which occurs on the basis of the switching process of the respective other semiconductor switch (120, 110). The invention additionally relates to a driver circuit (1) which is designed to carry out the method step and to a power converter comprising such a driver circuit (1).[French]
au niveau du commutateur à semi-conducteur désactivé (110, 120) s'opposant à un pic de tension (221) qui est produit par un processus de commutation de l'autre commutateur à semi-conducteur (120, 110) respectif du demi-pont (100) et qui se produit sur la base du processus de commutation de l'autre commutateur à semi-conducteur (120, 110) respectif. L'invention concerne en outre un circuit d'attaque (1) qui est conçu pour mettre en œuvre l'étape de procédé et un convertisseur de puissance comprenant un tel circuit d'attaque (1).