IP-Coster | WO2024230957 | VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN BAUTEILS UND MIKROELEKTROMECHANISCHES BAUTEIL

Country	Stages	Total
China	Filing	1076
EPO	Filing, Examination	4645
Japan	Filing	532
South Korea	Filing	575
USA	Filing, Examination	2635

Abstract[German] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Bauteils. Hierbei wird zunächst ein Trägersubstrat mit einer ersten Oberfläche bereitgestellt. Weiterhin wird eine Isolationsschicht auf die erste Oberfläche aufgebracht, bevor eine erste Siliziumschicht (150e) auf der Isolationsschicht aufwächst. Dann wird die erste Siliziumschicht (150e) zum Ausbilden wenigstens zwei erster, umlaufender Gräben in der ersten Siliziumschicht (150e) strukturiert, wobei sich die ersten Gräben zumindest stellenweise durch die erste Siliziumschicht (150e) erstrecken. Weiterhin wird die erste Siliziumschicht (150e) passiviert, wobei die ersten Gräben befüllt werden und sich auf einer der ersten Oberfläche abgewandten Seite eine erste Passiervierungsschicht (170) bildet. Zudem wird die erste Passivierungsschicht (170) strukturiert, wobei sich in der ersten Siliziumschicht (150e) zwischen den ersten Gräben ein erster umlaufender Opferbereich ausbildet und der erste Opferbereich auf einer der Trägersubstrat abgewandten Seite zumindest stellenweise frei von der ersten Passiervierungsschicht ist. Der Prozess wird dann für eine auf der ersten Siliziumschicht angeordnete zweite Siliziumschicht (150d) wiederholt. Alle Opferbereiche (156a, 156b, 156c, 156d, 156e) bilden einen zusammenhängenden Opferbereich (166) aus. Zudem wird das mikroelektromechanische Bauteil innerhalb eines Funktionsbereichs der Siliziumschichten (150a, 150b, 150c, 150d, 150e), der von dem zusammenhängenden Opferbereich (166) zumindest teilweise umschlossen wird, erzeugt. Dann wird der zusammenhängende Opferbereich (166) entfernt (181), sodass das mikroelektromechanische Bauteil von den Siliziumschichten (150a, 150b, 150c, 150d, 150e) zumindest teilweise getrennt wird.[English] The invention relates to a method for producing a microelectromechanical component. Firstly, a carrier substrate is provided with a first surface. Additionally, an insulating layer is applied to the first surface before a first silicon layer (150e) grows on the insulating layer. Then, the first silicon layer (150e) is structured to form at least two first peripheral trenches in the first silicon layer (150e), wherein the first trenches extend at least at points through the first silicon layer (150e). Additionally, the first silicon layer (150e) is passivated, wherein the first trenches are filled and a first passivation layer (170) is formed on a side facing away from the first surface. The first passivation layer (170) is also structured, wherein a first peripheral sacrificial region is formed in the first silicon layer (150e) between the first trenches, and the first sacrificial region is at least at points free of the first passivation layer on a side facing away from the carrier substrate. The process is then repeated for a second silicon layer (150d) which is arranged on the first silicon layer. All sacrificial regions (156a, 156b, 156c, 156d, 156e) form a continuous sacrificial region (166). In addition, the microelectromechanical component is produced within a functional region of the silicon layers (150a, 150b, 150c, 150d, 150e), which is at least partly surrounded by the continuous sacrificial region (166). Then, the continuous sacrificial region (166) is removed (181) so that the microelectromechanical component is at least partly separated from the silicon layers (150a, 150b, 150c, 150d, 150e).[French] L'invention se rapporte à un procédé permettant de produire un composant microélectromécanique. Tout d'abord, un substrat de support est pourvu d'une première surface. De plus, une couche isolante est appliquée sur la première surface avant qu'une première couche de silicium (150e) ne croisse sur la couche isolante. Ensuite, la première couche de silicium (150e) est structurée pour former au moins deux premières tranchées périphériques dans la première couche de silicium (150e), les premières tranchées s'étendant au moins en des points à travers la première couche de silicium (150e). De plus, la première couche de silicium (150e) est passivée, les premières tranchées étant remplies et une première couche de passivation (170) étant formée sur un côté opposé à la première surface. La première couche de passivation (170) est également structurée, une première région sacrificielle périphérique étant formée dans la première couche de silicium (150e) entre les premières tranchées et la première région sacrificielle étant au moins au niveau de points exempts de la première couche de passivation sur un côté opposé au substrat de support. Le procédé est ensuite répété pour une seconde couche de silicium (150d) qui est agencée sur la première couche de silicium. Toutes les régions sacrificielles (156a, 156b, 156c, 156d, 156e) forment une région sacrificielle continue (166). De plus, le composant microélectromécanique est produit à l'intérieur d'une région fonctionnelle des couches de silicium (150a, 150b, 150c, 150d, 150e), qui est au moins partiellement entourée par la région sacrificielle continue (166). Ensuite, la région sacrificielle continue (166) est retirée (181) de telle sorte que le composant microélectromécanique soit au moins partiellement séparé des couches de silicium (150a, 150b, 150c, 150d, 150e).

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WO2024230957 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES MIKROELEKTROMECHANISCHEN BAUTEILS UND MIKROELEKTROMECHANISCHES BAUTEIL

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