WO2024175301 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUTEILS UND MIKROSPIEGELANORDNUNG
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2024/175301
Publication Date
29.08.2024
International Application No.
PCT/EP2024/051852
International Filing Date
26.01.2024
Title **
[German]
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERBAUTEILS UND MIKROSPIEGELANORDNUNG
[English]
METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND MICROMIRROR ASSEMBLY
[French]
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ET ENSEMBLE MICROMIROIR
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Postfach 30 02 20
70442 Stuttgart, DE
Inventors
HENN, Tobias
Tannenbergstr. 64
70374 Stuttgart, DE
STIEDL, Jan
Nelkenstrasse 15/4
72124 Pliezhausen, DE
FRIEDL, Joachim
Bruehlwiesenstr. 2
72770 Reutlingen, DE
Priority Data
102023201493.9
21.02.2023
DE
Application details
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| Number of Independent Claims | * |
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International Searching Authority |
EPO
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Chapter I
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1096 | |
| EPO | Filing, Examination | 4715 | |
| Japan | Filing | 597 | |
| South Korea | Filing | 575 | |
| USA | Filing, Examination | 2710 |

Total: 9693 USD
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Abstract[German]
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils, insbesondere mit Mikrostrukturen. Hierbei wird zunächst ein Halbleiter-Chip (156) mit einer durch einen umlaufenden Graben (155) mit dem Halbleiter-Chip (156) verbundenen äußeren Rahmenstruktur (150) des Halbleiter-Chips (156) erzeugt. Weiterhin wird der Halbleiter-Chip (156) mittels eines an der äußeren Rahmenstruktur (150) des Halbleiter-Chips (156) angreifenden Werkzeugs, insbesondere eines Vakuumgreifers, zu einem nächsten Prozessschritt bewegt. Darüber hinaus wird die erzeugte äußere Rahmenstruktur (150) des Halbleiter-Chips (156) wieder entfernt.[English]
The invention relates to a method for producing a semiconductor component, in particular comprising microstructures. In the process, a semiconductor chip (156) comprising an outer frame structure (150) is first produced, said outer frame structure being connected to the semiconductor chip (156) by means of a peripheral trench (155). Additionally, the semiconductor chip (156) is moved to the next process step by means of a tool, in particular a vacuum gripper, which engages on the outer frame structure (150) of the semiconductor chip (156). In addition, the produced outer frame structure (150) of the semiconductor chip (156) is removed.[French]
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur, comprenant en particulier des microstructures. Dans le procédé, une puce semi-conductrice (156) comprenant une structure de cadre externe (150) est d'abord produite, ladite structure de cadre externe étant connectée à la puce semi-conductrice (156) au moyen d'une tranchée périphérique (155). De plus, la puce semi-conductrice (156) est déplacée vers l'étape de traitement suivante au moyen d'un outil, en particulier d'un préhenseur à ventouse, qui vient en prise sur la structure de cadre externe (150) de la puce semi-conductrice (156). En outre, la structure de cadre externe (150) produite de la puce semi-conductrice (156) est retirée.