WO2024160601 - VERFAHREN ZUM VERARBEITEN VON EINGANGSGRÖßEN MITTELS EINER WENIGSTENS EINEN FELDEFFEKTTRANSISTOR AUFWEISENDEN VERARBEITUNGSVORRICHTUNG, VORRICHTUNG ZUR AUSFÜHRUNG DES VERFAHRENS, RECHENEINRICHTUNG UND VERWENDUNG
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2024/160601
Publication Date
08.08.2024
International Application No.
PCT/EP2024/051549
International Filing Date
23.01.2024
Title **
[German]
VERFAHREN ZUM VERARBEITEN VON EINGANGSGRÖßEN MITTELS EINER WENIGSTENS EINEN FELDEFFEKTTRANSISTOR AUFWEISENDEN VERARBEITUNGSVORRICHTUNG, VORRICHTUNG ZUR AUSFÜHRUNG DES VERFAHRENS, RECHENEINRICHTUNG UND VERWENDUNG
[English]
METHOD FOR PROCESSING INPUT VARIABLES USING A PROCESSING DEVICE HAVING AT LEAST ONE FIELD EFFECT TRANSISTOR, DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD, COMPUTER UNIT AND USE
[French]
PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE VARIABLES D'ENTRÉE AU MOYEN D'UN DISPOSITIF DE TRAITEMENT COMPRENANT AU MOINS UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, DISPOSITIF POUR LA MISE EN ŒUVRE DU PROCÉDÉ, UNITÉ INFORMATIQUE ET UTILISATION
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Postfach 30 02 20
70442 Stuttgart, DE
Inventors
KIRCHNER, Tobias
Lichtenbergstrasse 30/2
71642 Ludwigsburg, DE
SOLIMAN, Taha
Lerchenstr. 38
71272 Renningen, DE
Priority Data
102023200722.3
30.01.2023
DE
Application details
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| Number of Independent Claims | * |
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| Number of Drawings | * |
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International Searching Authority |
EPO
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1560 | |
| EPO | Filing, Examination | 7736 | |
| Japan | Filing | 587 | |
| South Korea | Filing | 574 | |
| USA | Filing, Examination | 3910 |
Total: 14367 USD
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
Abstract[German]
Verfahren zum Verarbeiten von Eingangsgrößen mittels einer wenigstens einen ersten Feldeffekttransistor aufweisenden Verarbeitungsvorrichtung, aufweisend: Bereitstellen des ersten Feldeffekttransistors mit einer ersten Schwellenspannung, die eine erste mit dem ersten Feldeffekttransistor assoziierte Eingangsgröße charakterisiert, Beaufschlagen einer Gateelektrode des ersten Feldeffekttransistors mit einer ersten Ansteuergröße, die eine zweite mit dem ersten Feldeffekttransistor assoziierte Eingangsgröße charakterisiert, Ermitteln einer ersten Ausgangsgröße, die wenigstens ein Produkt der ersten Eingangsgröße und der zweiten Eingangsgröße charakterisiert, basierend auf einer einen zeitlichen Verlauf eines Stroms durch eine Laststrecke des ersten Feldeffekttransistors charakterisierenden ersten Größe.[English]
The invention relates to a method for processing input variables using a processing device having at least one first field effect transistor, comprising: providing the first field effect transistor with a first threshold voltage characterising a first input variable associated with the first field effect transistor, applying a gate electrode of the first field effect transistor with a first control variable characterising a second input variable associated with the first field effect transistor, determining a first output variable, characterising at least one product of the first input variable and the second input variable, based on a first variable characterising a time curve of a current via a load path of the first field effect transistor.[French]
L'invention concerne un procédé de traitement de variables d'entrée au moyen d'un dispositif de traitement comprenant au moins un premier transistor à effet de champ, consistant à : fournir le premier transistor à effet de champ avec une première tension de seuil caractérisant une première variable d'entrée associée au premier transistor à effet de champ, appliquer une électrode de grille du premier transistor à effet de champ avec une première variable de commande caractérisant une seconde variable d'entrée associée au premier transistor à effet de champ, déterminer une première variable de sortie, caractériser au moins un produit de la première variable d'entrée et de la seconde variable d'entrée, sur la base d'une première variable caractérisant une courbe temporelle d'un courant par l'intermédiaire d'un trajet de charge du premier transistor à effet de champ.