IP-Coster | WO2024156426 | WIDERSTANDSANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER TEMPERATUR EINER WIDERSTANDSANORDNUNG

Country	Stages	Total
China	Filing	1162
EPO	Filing, Examination	5410
Japan	Filing	602
South Korea	Filing	576
USA	Filing, Examination	2635

Abstract[German] Die Erfindung betrifft eine Widerstandsanordnung (2) umfassend mindestens ein Anschlusselement (3, 3') und mindestens ein Widerstandselement (4), wobei auf zumindest einem Teil (411) der Oberfläche (41) des Widerstandselements (4) als Substrat oder auf zumindest einem Teil (311) der Oberfläche (31) des Anschlusselements (3, 3') als Substrat eine Beschichtung (5) aufgebracht ist, die mindestens eine Lage (50, 51, 52, 53) aufweist. Gemäß der Erfindung ist die Beschichtung (5) so ausgeführt ist, dass an einer Grenzfläche (61) zwischen dem Substrat und der Beschichtung (5) ein Metall und ein Halbleiter in direktem Kontakt stehen, so dass an der Grenzfläche (61) ein p-n-Übergang gebildet ist und/oder dass mindestens an einer Grenzfläche (62) zwischen einer ersten Lage (50, 51) und einer zweiten Lage (52) der Beschichtung (5) ein Metall und ein Halbleiter in direktem Kontakt stehen oder ein erster Halbleiter und ein zweiter Halbleiter in direktem Kontakt stehen, so dass an der Grenzfläche (62) ein p-n-Übergang gebildet ist, wobei sowohl eine Lage (50, 51, 52, 53) der Beschichtung (5) einerseits als auch ein unbeschichteter Teil (412, 412') der Oberfläche (41) des Widerstandselements (4) beziehungsweise ein unbeschichteter Teil (312) der Oberfläche (31) des Anschlusselements (3, 3') andererseits oder sowohl die erste Lage (50, 51) einerseits als auch eine weitere Lage (52, 53) der Beschichtung (5) andererseits zur Erfassung von Messsignalen zur Bestimmung der Temperatur der Widerstandsanordnung (2) kontaktierbar sind.[English] The invention relates to a resistor assembly (2) comprising at least one connection element (3, 3') and at least one resistor element (4). A coating (5) is applied onto at least one part (411) of the surface (41) of the resistor element (4) as a substrate or onto at least one part (311) of the surface (31) of the connection element (3, 3') as a substrate, said coating having at least one layer (50, 51, 52, 53). According to the invention, the coating (5) is designed such that a metal and a semiconductor are in direct contact at a boundary surface (61) between the substrate and the coating (5) such that a p-n transition is formed at the boundary surface (61), and/or a metal and a semiconductor or a first semiconductor and a second semiconductor are in direct contact at least at a boundary surface (62) between a first layer (50, 51) and a second layer (52) of the coating (5) such that a p-n transition is formed at the boundary surface (62). A layer (50, 51, 52, 53) of the coating (5) and an uncoated part (412, 412') of the surface (41) of the resistor element (4) or an uncoated part (312) of the surface (31) of the connection element (3, 3') or both the first layer (50, 51) as well as another layer (52, 53) of the coating (5) can be contacted in order to detect measurement signals for determining the temperature of the resistor assembly (2).[French] L'invention concerne un dispositif de résistance (2) comprenant au moins un élément de raccordement (3, 3') et au moins un élément de résistance (4), un revêtement (5) étant appliqué sur au moins une partie (411) de la surface (41) de l'élément de résistance (4) en tant que substrat ou sur au moins une partie (311) de la surface (31) de l'élément de raccordement (3, 3') en tant que substrat, lequel revêtement présentant au moins une couche (50,51,52, 53). Selon l'invention, le revêtement (5) est réalisé de manière telle qu'à une interface (61) entre le substrat et le revêtement (5), un métal et un semi-conducteur soient en contact direct pour former une jonction p-n à l'interface (61) et/ou au moins à une interface (62) entre une première couche (50, 51) et une seconde couche (52) du revêtement (5), un métal et un semi-conducteur soient en contact direct ou bien un premier semi-conducteur et un second semi-conducteur soient en contact direct pour former une jonction p-n au niveau de l'interface (62), non seulement une couche (50,51,52, 53) du revêtement (5), d'une part, mais aussi une partie non revêtue (412, 412') de la surface (41) de l'élément de résistance (4), plus exactement une partie non revêtue (312) de la surface (31) de l'élément de raccordement (3, 3'), d'autre part, ou bien non seulement la première couche (50, 51), d'une part, mais aussi une autre couche (52, 53) du revêtement, d'autre part, peuvent être mis en contact pour déterminer la température du dispositif de résistance (2).

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