WO2026108700 - MEMORY
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2026/108700
Publication Date
28.05.2026
International Application No.
PCT/CN2025/134600
International Filing Date
13.11.2025
Title **
[English]
MEMORY
[French]
MÉMOIRE
[Chinese]
存储器
Applicants **
CXMT CORPORATION
Inventors
ZHANG, Qiyao
Priority Data
202411689800.9
22.11.2024
CN
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
| * | |
| Number of Office Actions | * |
| * | |
International Searching Authority |
CNIPA
* |
| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
* |
| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
* |
| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
* |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| Entry into National Phase under |
Chapter I
* |
| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
* |
| Translation |
|
* The data is based on automatic recognition. Please verify and amend if necessary.
** IP-Coster compiles data from publicly available sources. If this data includes your personal information, you can contact us to request its removal.
Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1576 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 11558 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 1998 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1804 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
21,676
Contact Us
Abstract[English]
Embodiments of the present disclosure provide a memory, comprising at least: a storage array, the storage array comprising a plurality of word lines; and word line contact structures, including a first word line contact structure and a second word line contact structure located on two opposite sides of the storage array, wherein the first word line contact structure is configured to be connected to a first word line driver, the second word line contact structure is configured to be connected to a second word line driver, and each word line in the storage array is simultaneously driven by the first word line driver and the second word line driver.[French]
Des modes de réalisation de la présente divulgation concernent une mémoire, comprenant au moins : un réseau de stockage, le réseau de stockage comprenant une pluralité de lignes de mots ; et des structures de contact de ligne de mots, comprenant une première structure de contact de ligne de mots et une seconde structure de contact de ligne de mots située sur deux côtés opposés du réseau de stockage, la première structure de contact de ligne de mots étant configurée pour être connectée à un premier pilote de ligne de mots, la seconde structure de contact de ligne de mots étant configurée pour être connectée à un second pilote de ligne de mots, et chaque ligne de mots dans le réseau de stockage étant simultanément pilotée par le premier pilote de ligne de mots et le second pilote de ligne de mots.[Chinese]
本公开实施例提供一种存储器，至少可以包括：存储阵列，所述存储阵列包含多条字线；字线接触结构，包括位于所述存储阵列相对两侧的第一字线接触结构和第二字线接触结构，所述第一字线接触结构用于连接第一字线驱动器，所述第二字线接触结构用于连接第二字线驱动器，所述存储阵列中的每一条字线同时受到所述第一字线驱动器和所述第二字线驱动器的驱动。