IP-Coster | WO2026098341 | SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1787
EPO	Filing, Examination, Granting	12570
Japan	Filing, Examination, Granting	2215
South Korea	Filing, Examination, Granting	2265
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] Embodiments of the present disclosure provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor. The semiconductor device comprises: multiple active regions disposed in a first region, each active region comprising a first connecting end and a second connecting end; multiple first capacitors disposed in the first region, each first capacitor comprising a first upper electrode and a first lower electrode, and the first lower electrode of each first capacitor being connected to a corresponding first connection end; multiple second capacitors disposed in a second region, each second capacitor comprising a second upper electrode and a second lower electrode; multiple first bonding pads disposed in the first region, at least one of the first bonding pads being connected to the second connection end of at least one of the active regions; and multiple second bonding pads disposed in the second region, at least one of the second bonding pads being connected to the second lower electrode of at least one of the second capacitors. The semiconductor device provided in the embodiments of the present disclosure has capacitors located in different regions, which can be used to implement different functions, thereby improving the level of integration of the semiconductor device.[French] Des modes de réalisation de la présente divulgation concernent un dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication. Le dispositif à semi-conducteur comprend : de multiples régions actives disposées dans une première région, chaque région active comprenant une première extrémité de connexion et une seconde extrémité de connexion ; de multiples premiers condensateurs disposés dans la première région, chaque premier condensateur comprenant une première électrode supérieure et une première électrode inférieure, et la première électrode inférieure de chaque premier condensateur étant connectée à une première extrémité de connexion correspondante ; de multiples seconds condensateurs disposés dans une seconde région, chaque second condensateur comprenant une seconde électrode supérieure et une seconde électrode inférieure ; de multiples premiers plots de connexion disposés dans la première région, au moins l'un des premiers plots de connexion étant connecté à la seconde extrémité de connexion d'au moins l'une des régions actives ; et de multiples seconds plots de connexion disposés dans la seconde région, au moins l'un des seconds plots de connexion étant connecté à la seconde électrode inférieure d'au moins l'un des seconds condensateurs. Le dispositif à semi-conducteur décrit dans les modes de réalisation de la présente divulgation comprend des condensateurs situés dans différentes régions, qui peuvent être utilisés pour mettre en œuvre différentes fonctions, ce qui permet d'améliorer le niveau d'intégration du dispositif à semi-conducteur.[Chinese] 本公开实施例提供了一种半导体器件以及制造方法，半导体器件包括：多个有源区设置在第一区域，各有源区包括第一连接端和第二连接端；多个第一电容器设置在第一区域，各第一电容器包括第一上电极和第一下电极，各第一电容器的第一下电极连接各第一连接端；多个第二电容器设置在第二区域，各第二电容器包括第二上电极和第二下电极；多个第一键合垫设置在第一区域，至少一个第一键合垫连接至少一个有源区的第二连接端；多个第二键合垫设置在第二区域，至少一个第二键合垫连接至少一个第二电容器的第二下电极。本公开实施例提供的半导体器件具有位于不同区域的电容器可用于实现不同的功能，提高半导体器件的集成度。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026098341 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Quotation for National Phase entry

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