IP-Coster | WO2026017089 | STORAGE APPARATUS, CONTROL METHOD, CONTROL APPARATUS, AND CHIP

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	2695
EPO	Filing, Examination, Granting	25643
Japan	Filing, Examination, Granting	2988
South Korea	Filing, Examination, Granting	3998
USA	Filing, Examination, Granting	9140

Abstract[English] Disclosed are a storage apparatus, a control method, a control apparatus, and a chip. The storage apparatus comprises: a first memory cell, comprising first and second transistors, wherein a gate terminal of the first transistor is connected to a first terminal of the second transistor, a second terminal of the first transistor is used for receiving an input voltage, the first memory cell outputs an output current of the first memory cell at a first terminal of the first transistor in response to the input of the input voltage, a gate terminal of the second transistor is used for receiving a turn-on signal, and a second terminal of the second transistor is used for receiving a write signal; and a write control circuit, used for controlling the first memory cell and configured to control, in response to the first memory cell being in a write state and the output current of the first memory cell satisfying a threshold condition, to stop applying the write signal to the second terminal of the second transistor or stop applying the turn-on signal to the second transistor, wherein the threshold condition is determined on the basis of a value to be written of the first memory cell.[French] Sont divulgués un appareil de stockage, un procédé de commande, un appareil de commande, et une puce. L'appareil de stockage comprend : une première cellule de mémoire, comprenant des premier et second transistors, une borne de grille du premier transistor étant connectée à une première borne du second transistor, une seconde borne du premier transistor étant utilisée pour recevoir une tension d'entrée, la première cellule de mémoire délivrant en sortie un courant de sortie de la première cellule de mémoire au niveau d'une première borne du premier transistor en réponse à l'entrée de la tension d'entrée, une borne de grille du second transistor étant utilisée pour recevoir un signal d'activation, et une seconde borne du second transistor étant utilisée pour recevoir un signal d'écriture ; et un circuit de commande d'écriture, utilisé pour commander la première cellule de mémoire et configuré pour commander, en réponse au fait que la première cellule de mémoire est dans un état d'écriture et que le courant de sortie de la première cellule de mémoire satisfait une condition de seuil, l'arrêt de l'application du signal d'écriture à la seconde borne du second transistor ou l'arrêt de l'application du signal d'activation au second transistor, la condition de seuil étant déterminée sur la base d'une valeur à écrire de la première cellule de mémoire.[Chinese] 存储装置、控制方法、控制装置以及芯片被公开。存储装置包括：第一存储器单元，包括第一和第二晶体管，第一晶体管的栅极端子与第二晶体管的第一端子连接，第一晶体管的第二端子用于接收输入电压，第一存储器单元响应于输入电压的输入在第一晶体管的第一端子输出第一存储器单元的输出电流，第二晶体管的栅极端子用于接收导通信号，第二晶体管的第二端子用于接收写入信号；写入控制电路，用于控制第一存储器单元，被配置响应于第一存储器单元处于写入状态且第一存储器单元的输出电流满足阈值条件，控制停止向第二晶体管的第二端子施加写入信号或停止向第二晶体管施加导通信号，阈值条件是基于第一存储器单元的待写入数值所确定的。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026017089 - STORAGE APPARATUS, CONTROL METHOD, CONTROL APPARATUS, AND CHIP

Quotation for National Phase entry

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