WO2025214447 - DEVICE AND METHOD FOR REMOVING IMPURITIES FROM TRICHLOROSILANE
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/214447
Publication Date
16.10.2025
International Application No.
PCT/CN2025/088276
International Filing Date
10.04.2025
Title **
[English]
DEVICE AND METHOD FOR REMOVING IMPURITIES FROM TRICHLOROSILANE
[French]
DISPOSITIF ET PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION D'IMPURETÉS DU TRICHLOROSILANE
[Chinese]
去除三氯氢硅中杂质的装置和方法
Applicants **
XINJIANG DAQO NEW ENERGY CO., LTD
Inventors
NIU, Gang
WANG, Xiyu
ZHU, Wengang
LUO, Jialin
CHEN, Wenji
LIU, Fei
Priority Data
202410442639.9
12.04.2024
CN
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
| * | |
| Number of Office Actions | * |
| * | |
International Searching Authority |
CNIPA
* |
| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
* |
| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
* |
| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
* |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| Entry into National Phase under |
Chapter I
* |
| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
* |
| Translation |
|
* The data is based on automatic recognition. Please verify and amend if necessary.
** IP-Coster compiles data from publicly available sources. If this data includes your personal information, you can contact us to request its removal.
Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1577 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 11551 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 1937 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1669 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
21,474
Contact Us
Abstract[English]
The present invention relates to the technical field of polycrystalline silicon production. Disclosed are a device and method for removing impurities from trichlorosilane, mainly aiming to improve the efficiency of removing impurities from trichlorosilane without increasing costs. The main technical solution of the present invention is: the device for removing impurities from trichlorosilane, comprising: an inlet of a first mixer is connected to one end of a first feeding pipe and a second feeding pipe, a plurality of baffle plates are arranged in a reaction tank in a staggered mode and used for forming a flow deflecting channel in the reaction tank, and one end of the flow deflecting channel is connected to an outlet of the first mixer; the other end of the flow deflecting channel, a filter and an inlet of a separation tower are sequentially connected, the inlet of the separation tower is further connected to a siloxane conveying pipe, a tower bottom of the separation tower is connected to the other end of the first feeding pipe and used for guiding siloxane to the first mixer, and an overhead draw-off pipe of the separation tower is connected to a rectification unit; and the second feeding pipe is used for guiding an impurity-containing trichlorosilane and dichlorosilane mixture to the first mixer.[French]
La présente invention se rapporte au domaine technique de la production de silicium polycristallin. L'invention concerne un dispositif et un procédé d'élimination d'impuretés de trichlorosilane, visant principalement à améliorer l'efficacité d'élimination d'impuretés du trichlorosilane sans augmenter les coûts. La solution technique principale de la présente invention est : le dispositif d'élimination d'impuretés de trichlorosilane, comprend : une entrée d'un premier mélangeur est reliée à une extrémité d'un premier tuyau d'alimentation et d'un second tuyau d'alimentation, une pluralité de plaques déflectrices sont disposées dans un réservoir de réaction de manière décalée et utilisées pour former un canal de déviation d'écoulement dans le réservoir de réaction, et une extrémité du canal de déviation d'écoulement est reliée à une sortie du premier mélangeur ; à l'autre extrémité du canal de déviation d'écoulement, un filtre et une entrée d'une tour de séparation sont reliés de manière séquentielle, l'entrée de la tour de séparation est en outre reliée à un tuyau de transport de siloxane, un fond de tour de la tour de séparation est relié à l'autre extrémité du premier tuyau d'alimentation et utilisé pour guider le siloxane vers le premier mélangeur, et un tuyau de soutirage supérieur de la tour de séparation est relié à une unité de rectification ; et le second tuyau d'alimentation est utilisé pour guider un mélange de trichlorosilane et de dichlorosilane contenant des impuretés vers le premier mélangeur.[Chinese]
本发明公开了一种去除三氯氢硅中杂质的装置和方法，涉及多晶硅生产技术领域，主要目的是在不增加成本的基础上，提高三氯氢硅中杂质的去除效率。本发明的主要技术方案为：去除三氯氢硅中杂质的装置，包括：第一混合器的进口连接于第一进料管的一端和第二进料管，反应罐内交错排列有多个折流板，用于在反应罐内形成折流通道，折流通道的一端连接于第一混合器的出口；折流通道的另一端、过滤器和分离塔的进口依次连接，分离塔的进口还连接于硅氧烷输送管，分离塔的塔釜连接于第一进料管的另一端，用于将硅氧烷引流至第一混合器，分离塔的顶采管连接于精馏单元；其中，第二进料管用于将含有杂质的三氯氢硅和二氯二氢硅混合物引流至第一混合器。