IP-Coster | WO2025218475 | PREPARATION METHOD FOR BACK-FACE P-I-N STRUCTURE, AND PREPARATION METHOD FOR HIGH-EFFICIENCY CRYSTALLINE SILICON CELL

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1577
EPO	Filing, Examination, Granting	11551
Japan	Filing, Examination, Granting	2000
South Korea	Filing, Examination, Granting	1802
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] The present invention relates to the technical field of solar cells, and specifically relates to a preparation method for a back-face P-I-N structure, and a preparation method for a high-efficiency crystalline silicon cell. The preparation method for a back-face P-I-N structure comprises: texturing a silicon wafer; performing an oxidation treatment on a front face to obtain a front-face oxide layer, sequentially performing acid pickling and alkali polishing on a back face and then sequentially preparing a tunneling layer and an intrinsic amorphous silicon layer on the polished face; sequentially performing full-face inkjet deposition of a boron-containing solution and a silicon-containing transition solution on the intrinsic amorphous silicon layer, performing a laser curing treatment on P+ regions predefined according to requirements, and cleaning other regions to form prefabricated P+ regions; then, performing full-face inkjet deposition of a phosphorus-containing solution, performing a drying treatment, and performing a laser incision treatment on spacing regions predefined according to requirements until the intrinsic amorphous silicon layer is exposed, so as to form prefabricated N+ regions and the spacing regions; and performing high-temperature crystallization to form doping, and performing cleaning to obtain a back-face P-I-N structure. On this basis, a TBC cell is prepared. The present invention involves a simplified process route and also ensures cell efficiency.[French] La présente invention se rapporte au domaine technique des cellules solaires, et concerne spécifiquement un procédé de préparation d'une structure P-I-N de face arrière, et un procédé de préparation d'une cellule de silicium cristallin à haut rendement. Le procédé de préparation d'une structure P-I-N de face arrière comprend : texturer une tranche de silicium ; effectuer un traitement d'oxydation sur une face avant pour obtenir une couche d'oxyde de face avant, effectuer de façon séquentielle un décapage acide et un polissage alcalin sur une face arrière, puis préparer de façon séquentielle une couche à effet tunnel et une couche de silicium amorphe intrinsèque sur la face polie ; effectuer de façon séquentielle un dépôt par jet d'encre pleine face d'une solution contenant du bore et d'une solution de transition contenant du silicium sur la couche de silicium amorphe intrinsèque, effectuer un traitement de durcissement au laser sur des régions P + prédéfinies selon les besoins, et nettoyer les autres régions pour former des régions P + préfabriquées ; puis, effectuer un dépôt par jet d'encre pleine face d'une solution contenant du phosphore, effectuer un traitement de séchage, et effectuer un traitement d'incision laser sur des régions d'espacement prédéfinies selon les besoins jusqu'à ce que la couche de silicium amorphe intrinsèque soit exposée, de manière à former des régions N + préfabriquées et les régions d'espacement ; et effectuer une cristallisation à haute température pour former un dopage, et effectuer un nettoyage pour obtenir une structure P-I-N de face arrière. Sur cette base, une cellule à contact arrière à passivation par oxyde à effet tunnel (TBC) est préparée. La présente invention concerne une voie de processus simplifié et assure également l'efficacité cellulaire.[Chinese] 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及背面P-I-N结构制备方法及高效晶硅电池制备方法，背面P-I-N结构制备方法是：对硅片制绒；在正面进行氧化处理得正面氧化层，对背面依次进行酸洗和碱抛光后在抛光面上依次制备隧穿层和本征非晶硅层；在本征非晶硅层上依次整面喷墨沉积含硼溶液以及含硅过渡溶液，对按要求事先限定的P+区进行激光固化处理，其他区域清洗形成预制P+区；然后整面喷墨沉积含磷溶液，烘干处理，对按要求事先限定的间隔区域激光开膜处理至露出本征非晶硅层，形成预制N+区以及间隔区域；高温晶化形成掺杂，清洗后得到背面P-I-N结构；以此为基础制备TBC电池；本发明工艺路线简化的同时兼顾保证了电池效率。

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Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2025218475 - PREPARATION METHOD FOR BACK-FACE P-I-N STRUCTURE, AND PREPARATION METHOD FOR HIGH-EFFICIENCY CRYSTALLINE SILICON CELL

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