WO2025227989 - CAPACITOR DIELECTRIC LAYER, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND CAPACITOR STRUCTURE
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/227989
Publication Date
06.11.2025
International Application No.
PCT/CN2025/083698
International Filing Date
20.03.2025
Title **
[English]
CAPACITOR DIELECTRIC LAYER, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND CAPACITOR STRUCTURE
[French]
COUCHE DIÉLECTRIQUE DE CONDENSATEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET STRUCTURE DE CONDENSATEUR
[Chinese]
电容介电层及其制备方法和电容结构
Applicants **
CXMT CORPORATION
Inventors
LI, Tao
LI, Hui
CHANG, Min-hui
LI, Yongxiang
ZHANG, Congcong
Priority Data
202410534542.0
29.04.2024
CN
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1746 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 11621 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2183 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2082 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
22,372
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Abstract[English]
A capacitor dielectric layer, a manufacturing method therefor and a capacitor structure. The capacitor dielectric layer comprises at least any two stack layers among a first stack layer, a second stack layer and a third stack layer which are stacked in a first direction. Each stack layer comprises a first dielectric layer and a second dielectric layer, the primary crystalline phase of the first dielectric layer being at least one of a tetragonal structure phase and an orthogonal structure phase, and the primary crystalline phase of the second dielectric layer being at least one of a tetragonal structure phase and an orthogonal structure phase. The capacitor dielectric layer has a high dielectric constant and a low leakage current.[French]
L'invention concerne une couche diélectrique de condensateur, son procédé de fabrication et une structure de condensateur. La couche diélectrique de condensateur comprend au moins deux couches d'empilement quelconques parmi une première couche d'empilement, une deuxième couche d'empilement et une troisième couche d'empilement qui sont empilées dans une première direction. Chaque couche d'empilement comprend une première couche diélectrique et une seconde couche diélectrique, la phase cristalline primaire de la première couche diélectrique étant une phase de structure tétragonale et/ou une phase de structure orthogonale, et la phase cristalline primaire de la seconde couche diélectrique étant une phase de structure tétragonale et/ou une phase de structure orthogonale. La couche diélectrique de condensateur a une constante diélectrique élevée et un courant de fuite faible.[Chinese]
一种电容介电层及其制备方法和电容结构，该电容介电层包括沿第一方向堆叠设置的第一叠层、第二叠层和第三叠层中任意的至少两个叠层，各叠层均包括第一介电层和第二介电层，第一介电层的主晶相为四方结构相和正交结构相中的至少一种，第二介电层的主晶相为四方结构相和正交结构相中的至少一种。上述电容介电层具有高的介电常数和低的漏电流。