WO2026091369 - SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

National phase entry:
Publication Number WO/2026/091369
Publication Date 07.05.2026
International Application No. PCT/CN2025/082240
International Filing Date 13.03.2025
Title **
[English] SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
[French] STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
[Chinese] 一种半导体结构及其制造方法
Applicants **
CXMT CORPORATION
Inventors
ZHU, Shun
CHEN, Longyang
SHI, Luan
FANG, Ke
CHEN, Yinchu
SUN, Yao
LI, Guangcheng
Priority Data
202411538538.8   30.10.2024   CN
Application details
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Patent Delivery
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Quotation for National Phase entry

Country StagesTotal
China Filing, Examination, Granting1779
EPO Filing, Examination, Granting12570
Japan Filing, Examination, Granting2215
South Korea Filing, Examination, Granting2265
USA Filing, Examination, Granting4740
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Total: 23,569
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Abstract[English] A semiconductor structure and a method for forming same. The semiconductor structure may at least comprise: a substrate; bit line structures located on the substrate, the plurality of bit line structures extending in a first direction and being arranged at intervals in a second direction, and the first direction being perpendicular to the second direction; first dielectric layers located between respective adjacent bit line structures and arranged at intervals in the first direction; contact structures located between respective adjacent bit line structures, each contact structure being spaced apart from a first dielectric layer; and conductive structures located above the contact structures, the top of each conductive structure being flush with the top of a first dielectric layer. The size of each contact structure gradually decreases from the top of the contact structure to the surface of the substrate in a direction perpendicular to the substrate.[French] La présente invention concerne une structure semi-conductrice et son procédé de formation. La structure semi-conductrice peut au moins comprendre : un substrat ; des structures de lignes de bits situées sur le substrat, la pluralité de structures de lignes de bits s'étendant dans une première direction et étant agencées à intervalles dans une deuxième direction, et la première direction étant perpendiculaire à la deuxième direction ; des premières couches diélectriques situées entre les structures de lignes de bits adjacentes respectives et agencées à intervalles dans la première direction ; des structures de contact situées entre des structures de lignes de bits adjacentes respectives, chaque structure de contact étant espacée d'une première couche diélectrique ; et des structures conductrices situées au-dessus des structures de contact, la partie supérieure de chaque structure conductrice affleurant la partie supérieure d'une première couche diélectrique. La taille de chaque structure de contact diminue progressivement depuis la partie supérieure de la structure de contact vers la surface du substrat dans une direction perpendiculaire au substrat.[Chinese] 一种半导体结构及其形成方法，至少可以包括：基底；位线结构，位于基底上，多条位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置，第一方向与第二方向垂直；第一介质层，位于相邻位线结构之间且沿第一方向间隔设置；接触结构，位于相邻位线结构之间，接触结构与第一介质层间隔设置；导电结构，位于接触结构上方，导电结构的顶部与第一介质层的顶部平齐；接触结构沿垂直于基底方向由接触结构顶部至基底表面的尺寸逐渐减小。