IP-Coster | WO2026007425 | SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1794
EPO	Filing, Examination, Granting	12578
Japan	Filing, Examination, Granting	2214
South Korea	Filing, Examination, Granting	2270
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] The present application provides a semiconductor device and a manufacturing method therefor. The semiconductor device comprises a semiconductor epitaxial layer, wherein a plurality of semiconductor units are arranged on the semiconductor epitaxial layer; each semiconductor unit comprises a plurality of cells adjacent to each other, and each cell comprises a first doped region and a second doped region; the first doped region comprises a primary body region and a plurality of secondary body regions; the primary body region has a plurality of vertexes, and each vertex is connected to one secondary body region; each secondary body region extends from a vertex to a center point between the vertex and a correspondingly adjacent vertex, and is connected to a corresponding secondary body region extending from the correspondingly adjacent vertex; the second doped region is arranged in the primary body region; the second doped region and the first doped region have different conductivity types. In the semiconductor device, the reverse voltage of the semiconductor device is effectively increased, and the on-resistance is effectively reduced.[French] La présente demande concerne un dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication. Le dispositif à semi-conducteur comprend une couche épitaxiale semi-conductrice, une pluralité d'unités semi-conductrices étant disposées sur la couche épitaxiale semi-conductrice ; chaque unité semi-conductrice comprend une pluralité de cellules adjacentes les unes aux autres, et chaque cellule comporte une première région dopée et une seconde région dopée ; la première région dopée comprend une région de corps primaire et une pluralité de régions de corps secondaire ; la région de corps primaire présente une pluralité de sommets, et chaque sommet est relié à une région de corps secondaire ; chaque région de corps secondaire s'étend d'un sommet à un point central entre le sommet et un sommet adjacent de manière correspondante, et est reliée à une région de corps secondaire correspondante s'étendant à partir du sommet adjacent de manière correspondante ; la seconde région dopée est disposée dans la région de corps primaire ; la seconde région dopée et la première région dopée ont des types de conductivité différents. Dans le dispositif à semi-conducteur, la tension inverse du dispositif à semi-conducteur est efficacement augmentée, et la résistance à l'état passant est efficacement réduite.[Chinese] 本申请提供一种半导体器件及其制备方法；该半导体器件包括半导体外延层，半导体外延层上设置有多个半导体单元；半导体单元包括彼此相邻的多个元胞，每个元胞均包括第一掺杂区和第二掺杂区；其中，第一掺杂区包括主体区和多个副体区；主体区具有多个顶角，每个顶角与一个副体区连接；副体区沿着顶角向对应相邻顶角之间的中心点延伸，并与对应相邻顶角延伸出的对应副体区连接；第二掺杂区设置于主体区内；第二掺杂区与第一掺杂区的导电类型不同。该半导体器件有效提升了半导体器件的反向耐压，并有效降低了导通电阻。

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	CNIPA *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026007425 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Quotation for National Phase entry

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