IP-Coster | WO2026112871 | SEMICONDUCTOR DEVICE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1504
EPO	Filing, Examination, Granting	11551
Japan	Filing, Examination, Granting	2000
South Korea	Filing, Examination, Granting	1709
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] Provided is a semiconductor device, comprising a substrate and an epitaxial layer, wherein the epitaxial layer is arranged on one side of the substrate, the epitaxial layer is provided with a trench, the trench extends in a first direction along a first surface of the epitaxial layer away from the substrate, the first direction is the direction from the first surface of the epitaxial layer towards the substrate, trench walls of the trench may be oxidized to form a gate dielectric layer, the trench comprises a bottom close to one side of the substrate and side walls surrounding the bottom, and the oxidation rate of a material at the bottom of the trench is greater than the oxidation rate of a material at the side walls of the trench. Specifically, since the oxidation rate of the material at the bottom of the trench is greater than the oxidation rate of the material at the side walls of the trench, a thicker gate dielectric layer can be formed after the oxidation of the material at the bottom of the trench, so that in a device reverse bias state, the electric field breakdown resistance at the corners of the bottom of the trench is improved, thereby improving the voltage resistance in the device reverse bias state.[French] L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur, comprenant un substrat et une couche épitaxiale, la couche épitaxiale étant agencée sur un côté du substrat, la couche épitaxiale étant pourvue d'une tranchée, la tranchée s'étendant dans une première direction le long d'une première surface de la couche épitaxiale à l'opposé du substrat, la première direction étant la direction allant depuis la première surface de la couche épitaxiale vers le substrat, des parois de tranchée de la tranchée pouvant être oxydées afin de former une couche diélectrique de grille, la tranchée comprenant un fond proche d'un côté du substrat et des parois latérales entourant le fond, et le taux d'oxydation d'un matériau au fond de la tranchée étant supérieur au taux d'oxydation d'un matériau au niveau des parois latérales de la tranchée. Plus particulièrement, étant donné que le taux d'oxydation du matériau au fond de la tranchée est supérieur au taux d'oxydation du matériau au niveau des parois latérales de la tranchée, une couche diélectrique de grille plus épaisse peut être formée après l'oxydation du matériau au fond de la tranchée, de sorte que, dans un état de polarisation inverse de dispositif, la résistance à la rupture de champ électrique aux coins du fond de la tranchée est améliorée, ce qui permet d'améliorer la résistance de tension dans l'état de polarisation inverse du dispositif.[Chinese] 本申请提供的半导体器件中，包括衬底和外延层，外延层设置于衬底的一侧；且外延层具有沟槽，沟槽沿外延层背离衬底的第一表面朝向第一方向延伸；第一方向为外延层的第一表面朝向衬底的方向；其中，沟槽的槽壁可被氧化形成栅介质层，沟槽包括靠近衬底一侧的底部，以及围绕底部的侧壁，沟槽底部的材料的氧化速率大于沟槽侧壁的材料的氧化速率。具体的，由于沟槽底部的材料的氧化速率大于沟槽侧壁的材料的氧化速率，沟槽底部的材料氧化后能够形成更厚的栅介质层，从而在器件反偏状态下，提高沟槽底部拐角处耐电场击穿能力，进而提高器件反偏状态下的耐压。

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Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026112871 - SEMICONDUCTOR DEVICE

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