IP-Coster | WO2026112766 | POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1792
EPO	Filing, Examination, Granting	14132
Japan	Filing, Examination, Granting	2309
South Korea	Filing, Examination, Granting	2377
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] Provided in the present invention are a power semiconductor device and a manufacturing method therefor. The power semiconductor device comprises: a substrate, an epitaxial layer, a first doped region and a second doped region which have opposite conductivity types, a gate electrode, an electrode layer, and an insulating medium. The epitaxial layer is configured with a trench, and comprises a first epitaxial layer and a second epitaxial layer which have opposite conductivity types, wherein the first epitaxial layer is arranged between the second epitaxial layer and the substrate, and the trench penetrates through the second epitaxial layer and partially extends into the first epitaxial layer. The first doped region is formed in the second epitaxial layer and located on two opposite sides of the trench. The second doped region extends from the second epitaxial layer through an interface between the second epitaxial layer and the first epitaxial layer, partially extends into the first epitaxial layer, is located on the two opposite sides of the trench, and connects the first doped region to the first epitaxial layer so as to form a conductive channel. By means of epitaxially growing the second epitaxial layer on the first epitaxial layer, the implantation dosage for subsequently forming the second doped region, which has the same conductivity type as the second epitaxial layer, can be reduced so as to weaken the scattering effect, thus improving mobility.[French] La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur de puissance et son procédé de fabrication. Le dispositif à semi-conducteur de puissance comprend : un substrat, une couche épitaxiale, une première région dopée et une seconde région dopée qui présentent des types de conductivité opposés, une électrode de grille, une couche d'électrode et un support isolant. La couche épitaxiale est configurée avec une tranchée, et comprend une première couche épitaxiale et une seconde couche épitaxiale qui présentent des types de conductivité opposés, la première couche épitaxiale étant agencée entre la seconde couche épitaxiale et le substrat, et la tranchée pénétrant à travers la seconde couche épitaxiale et s'étendant partiellement dans la première couche épitaxiale. La première région dopée est formée dans la seconde couche épitaxiale et située sur deux côtés opposés de la tranchée. La seconde région dopée s'étend depuis la seconde couche épitaxiale à travers une interface entre la seconde couche épitaxiale et la première couche épitaxiale, s'étend partiellement dans la première couche épitaxiale, est située sur les deux côtés opposés de la tranchée, et relie la première région dopée à la première couche épitaxiale de façon à former un canal conducteur. Au moyen de la croissance épitaxiale de la seconde couche épitaxiale sur la première couche épitaxiale, le dosage d'implantation pour former ensuite la seconde région dopée, qui présente le même type de conductivité que la seconde couche épitaxiale, peut être réduit de façon à affaiblir l'effet de diffusion, et à améliorer ainsi la mobilité.[Chinese] 本发明提供一种功率半导体器件及其制作方法，包括：衬底、外延层、导电类型相反的第一和第二掺杂区、栅电极、电极层和绝缘介质。外延层配置有沟槽且包括导电类型相反的第一和第二外延层，第一外延层设置在第二外延层与衬底之间，沟槽贯穿第二外延层并部分伸入第一外延层。第一掺杂区形成在第二外延层内、且位于沟槽的相对两侧。第二掺杂区自第二外延层延伸穿过第二外延层与第一外延层的分界面并部分伸入第一外延层、位于沟槽的相对两侧、且连接第一掺杂区与第一外延层以用于形成导电沟道。通过在第一外延层上外延生长第二外延层，可降低后续形成与第二外延层具有相同导电类型的第二掺杂区的注入剂量，使得散射效应减弱，进而提升迁移率。

Total Number of Claims/PCT	*
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Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

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