IP-Coster | WO2026011516 | PARTICLE REMOVAL METHOD AND APPARATUS

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1605
EPO	Filing, Examination, Granting	11558
Japan	Filing, Examination, Granting	2029
South Korea	Filing, Examination, Granting	1870
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] Provided in the present invention are a particle removal method and apparatus. The particle removal method comprises the following steps: providing a substrate (40) from which surface particles (50) are to be removed; switching the substrate (40) between a low-temperature state and a high-temperature state several times, so as to generate a thermal stress at the interface between the substrate (40) and the particles (50) on the surface thereof; and maintaining the substrate (40) in the low-temperature state or the high-temperature state, and correspondingly blowing an ionized high-pressure hot gas or high-pressure cold gas to the surface of the substrate (40), such that kinetic energy and a repulsive force are provided by means of the high-pressure hot gas or the high-pressure cold gas to detach the particles (50) from the substrate (40). The particle removal method can quickly and completely remove particles from the surface of a substrate, and has the beneficial effects of a high level of particle removal efficiency and a good particle removal effect, thereby facilitating an increase in the production efficiency of semiconductor manufacturing and a saving in the production costs of semiconductor manufacturing.[French] La présente invention concerne un procédé et un appareil d'élimination de particules. Le procédé d'élimination de particules consiste à : prendre un substrat (40) dont on doit éliminer les particules de surface (50) ; faire alterner le substrat (40) entre un état de basse température et un état de haute température plusieurs fois, de manière à générer une contrainte thermique à l'interface entre le substrat (40) et les particules (50) sur sa surface ; et maintenir le substrat (40) à l'état de basse température ou à l'état de haute température, et souffler de manière correspondante un gaz chaud ionisé à haute pression ou un gaz froid à haute pression en direction de la surface du substrat (40), de sorte que l'énergie cinétique et une force de répulsion soient générées par le gaz chaud à haute pression ou le gaz froid à haute pression pour détacher les particules (50) du substrat (40). Le procédé d'élimination de particules peut éliminer rapidement et complètement des particules de la surface d'un substrat, et présente comme effets avantageux un niveau élevé d'efficacité d'élimination de particules et un bon effet d'élimination de particules, ce qui permet d’accroître l’efficacité de production de la fabrication de semi-conducteurs et de réduire les coûts de production liés à la fabrication de semi-conducteurs.[Chinese] 本发明提供一种颗粒去除方法及装置，其中颗粒去除方法包括以下步骤：提供待去除表面颗粒（50）的基板（40）；使基板（40）在低温状态和高温状态之间切换若干次，以在基板（40）和其表面的颗粒（50）之间的界面处形成热应力；使基板（40）保持低温状态或高温状态，并对应地向基板（40）表面吹送离子化的高压热气体或高压冷气体，通过高压热气体或高压冷气体提供动能和排斥力使颗粒（50）离开基板（40）。上述的颗粒去除方法能够快速、完全地去除基板表面的颗粒，具有颗粒去除效率高、去除效果好的有益效果，有助于提高半导体制造的生产效率，节约半导体制造的生产成本。

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Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
Translation

WO2026011516 - PARTICLE REMOVAL METHOD AND APPARATUS

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