WO2023134597 - METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOR LIMITED-RANGE IMPEDANCE TUNING FOR SILICON PHOTONICS DEVICES
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2023/134597
Publication Date
20.07.2023
International Application No.
PCT/CN2023/071141
International Filing Date
08.01.2023
Title **
[English]
METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOR LIMITED-RANGE IMPEDANCE TUNING FOR SILICON PHOTONICS DEVICES
[French]
PROCÉDÉ, APPAREIL ET SYSTÈME POUR L'ACCORD D'IMPÉDANCE À PORTÉE LIMITÉE POUR LES DISPOSITIFS PHOTONIQUES EN SILICIUM
Applicants **
HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
Huawei Administration Building
Bantian, Longgang District
Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors
MANSOURI RAD, Mohammad Mehdi
Suite 400, 303 Terry Fox Drive, Kanata
Ottawa, Ontario 231, CA
BERNIER, Eric
Suite 400, 303 Terry Fox Drive, Kanata
Ottawa, Ontario 231, CA
Priority Data
17/575,796
14.01.2022
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1235 | |
| EPO | Filing, Examination | 7996 | |
| Japan | Filing | 590 | |
| South Korea | Filing | 574 | |
| USA | Filing, Examination | 2710 |
Total: 13105 USD
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Abstract[English]
There is provided an optical communication device having a silicon photonics (SiPh) component configured to perform an optical communication function; a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) drive circuit (105) coupled to the SiPh device for operation thereof and one or more controllably adjustable CMOS impedance circuits coupled to the SiPh component and the electrical drive circuit (105). In the optical communication device, impedances of each of the CMOS impedance circuits can be adjustable over a respective limited range. The limited range may be designed and configured based at least in part on an anticipated amount of variation in electrical characteristics of the SiPh component, the CMOS electrical drive circuit (105), or a combination thereof. Such variation may be anticipated due to manufacturing variability.[French]
L'invention concerne un dispositif de communication optique comportant un composant photonique au silicium (SiPh) configuré pour exécuter une fonction de communication optique ; un circuit de commande (105) à semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) couplé au dispositif SiPh pour son fonctionnement et un ou plusieurs circuits d'impédance CMOS à réglage commandé couplés au composant SiPh et au circuit de commande électrique (105). Dans le dispositif de communication optique, les impédances de chacun des circuits d'impédance CMOS peuvent être réglées sur une plage limitée respective. La plage limitée peut être conçue et configurée sur la base, au moins en partie, d'une variation anticipée des caractéristiques électriques du composant SiPh, du circuit de commande électrique CMOS (105) ou d'une combinaison de ceux-ci. Une telle variation peut être anticipée en raison de la variabilité de fabrication.