WO2023193280 - IMAGE SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SAME
National phase entry:
Publication Number
WO/2023/193280
Publication Date
12.10.2023
International Application No.
PCT/CN2022/085979
International Filing Date
08.04.2022
Title **
[English]
IMAGE SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING SAME
[French]
CAPTEUR D'IMAGE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE COMPORTANT CE DERNIER
Applicants **
HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD.
Huawei Administration Building, Bantian,Longgang District
Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors
TAKAHASHI, Hidekazu
19F, Concurred-Yokohama, 3-1, Kinko-cho, Kanagawa-ku
Yokohama, Kanagawa 221-0056, JP
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Recalculate
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1196 | |
| EPO | Filing, Examination | 7995 | |
| Japan | Filing | 587 | |
| South Korea | Filing | 482 | |
| USA | Filing, Examination | 2710 |
Total: 12970 USD
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
Abstract[English]
An embodiment of the present application provides an image sensor including a quantum dot (QD) region configured to perform photoelectric conversion in short wavelength infrared (SWIR) range. The QD region has a stack of two or more QD layers. The two or more QD layers may include a first QD layer that contains first quantum dots and a second QD layer that contains second quantum dots, and a band gap of the first quantum dots may differ from a band gap of the second quantum dots. Alternatively, or additionally, the two or more QD layers may be doped differently from each other so as to generate a built-in electric field in the QD region for drifting photogenerated carriers out of the QD region.[French]
Un mode de réalisation de la présente demande concerne un capteur d'image comportant une région de points quantiques (QD) configurée pour réaliser une conversion photoélectrique dans une plage infrarouge à courte longueur d'onde (SWIR). La région de QD présente un empilement d'au moins deux couches de QD. Les deux couches de QD ou plus peuvent comporter une première couche de QD qui contient des premiers points quantiques et une seconde couche de QD qui contient des seconds points quantiques, et une bande interdite des premiers points quantiques peut différer d'une bande interdite des seconds points quantiques. En variante, ou en outre, les deux couches de QD ou plus peuvent être dopées différemment l'une de l'autre/les unes des autres de manière à générer un champ électrique intégré dans la région de QD pour entraîner des porteurs photogénérés hors de la région de QD.