WO2023137680 - IMAGING DEVICE ARRAY
National phase entry:
Publication Number
WO/2023/137680
Publication Date
27.07.2023
International Application No.
PCT/CN2022/073077
International Filing Date
21.01.2022
Title **
[English]
IMAGING DEVICE ARRAY
[French]
RÉSEAU DE DISPOSITIFS D'IMAGERIE
Applicants **
HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD.
Huawei Administration Building, Bantian, Longgang District
Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors
TAKAHASHI, Seiji
19F, Concurred-Yokohama, 3-1, Kinko-cho
ku,Yokohama, Kanagawa 221-0056, JP
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
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| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1238 | |
| EPO | Filing, Examination | 7471 | |
| Japan | Filing | 595 | |
| South Korea | Filing | 482 | |
| USA | Filing, Examination | 4510 |
Total: 14296 USD
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
Abstract[English]
Provided is a solid-state imaging device array (100) comprising a plurality of solid-state imaging devices (102-1 to 102-4) arranged in an array, each solid-state imaging device (102-1 to 102-4) comprising: one or more photodiode groups（110）; one or more device lines (120, 122) disposed along at least one side of the photodiode groups (110), each comprising gates and doped regions aligned in line; and device power sources (124, 126, 128), each being disposed at a point at which each end of the device lines (120, 122) and each end of device lines (120, 122) of an adjacent solid-state imaging device (102-1 to 102-4), wherein the gates and the doped regions are configured as transistor devices for operating the solid-state imaging device (102-1 to 102-4), and wherein the device power sources (124, 126, 128) are disposed at four apexes of a border of the solid-state imaging device (102-1 to 102-4).[French]
L'invention concerne un réseau de dispositifs d'imagerie à semi-conducteurs (100) comprenant une pluralité de dispositifs d'imagerie à semi-conducteurs (102-1 à 102-4) agencés en un réseau, chaque dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (102-1 à 102-4) comprenant : un ou plusieurs groupes de photodiodes (110); une ou plusieurs lignes de dispositif (120, 122) disposées le long d'au moins un côté des groupes de photodiodes (110), comprenant chacune des grilles et des régions dopées alignées en ligne; et des sources d'alimentation de dispositif (124, 126, 128), chacune étant disposée à un point à chaque extrémité des lignes de dispositif (120, 122) et chaque extrémité de lignes de dispositif (120, 122) d'un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs adjacent (102-1 à 102-4), les grilles et les régions dopées étant configurées en tant que dispositifs de transistor pour faire fonctionner le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (102-1 à 102-4), et les sources d'alimentation de dispositif (124, 126, 128) étant disposées au niveau de quatre sommets d'une bordure du dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (102-1 à 102-4).