WO2023087289 - SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
National phase entry:
Publication Number
WO/2023/087289
Publication Date
25.05.2023
International Application No.
PCT/CN2021/131949
International Filing Date
19.11.2021
Title **
[English]
SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
[French]
DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
Applicants **
HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD.
Inventors
TAKAHASHI, Seiji
HUANG, Zhijian
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
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| Pages for Publication | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| Translation |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 2131 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 16236 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2368 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2509 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 5140 |
Total:
28,384
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Abstract[English]
A solid-state imaging device (100) comprising: a semiconductor layer (160) of a first conductivity type semiconductor; a photoelectric conversion part (170) comprising a first side (171) and a second side (172) opposite to the first side (171), and being formed in contact with the semiconductor layer (160) at the first side (171); and a charge transfer gate device electrically connected to the photoelectric conversion part (170), and transferring charge stored in the photoelectric conversion part (170) to floating diffusion region (300), wherein the photoelectric conversion part (170) at least comprises a first sub-area (181) of the first conductivity type semiconductor and a second sub-area (182) of a second conductivity type semiconductor, the second conductivity type semiconductor being different from the first conductivity type semiconductor, wherein on the first side (171) of the photoelectric conversion part (170), the first sub-area (181) and the second sub-area (182) contacts with the semiconductor layer (160), wherein thickness of the first sub-area (181) in a direction perpendicular to a normal line of the first side (171) is smaller than thickness of the second sub-area (182) in a direction perpendicular to a normal line of the first side (171), and wherein the charge transfer gate device comprises a first charge transfer gate device (450) and a second charge transfer gate device (550).[French]
Un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (100) comprend : une couche semi-conductrice (160) d'un semi-conducteur de premier type de conductivité ; une partie de conversion photoélectrique (170) comprenant un premier côté (171) et un second côté (172) opposé au premier côté (171), et étant formée en contact avec la couche semi-conductrice (160) sur le premier côté (171) ; et un dispositif de grille de transfert de charge électriquement connecté à la partie de conversion photoélectrique (170) et transférant une charge stockée dans la partie de conversion photoélectrique (170) à une région de diffusion flottante (300), la partie de conversion photoélectrique (170) comprenant au moins une première sous-zone (181) du semi-conducteur du premier type de conductivité et une seconde sous-zone (182) d'un semi-conducteur de second type de conductivité, le semi-conducteur de second type de conductivité étant différent du semi-conducteur de premier type de conductivité, la première sous-zone (181) et la seconde sous-zone (182) étant en contact avec la couche semi-conductrice (160) sur le premier côté (171) de la partie de conversion photoélectrique (170), l'épaisseur de la première sous-zone (181) dans un sens perpendiculaire à une ligne normale du premier côté (171) étant inférieure à l'épaisseur de la seconde sous-zone (182) dans un sens perpendiculaire à une ligne normale du premier côté (171), et le dispositif de grille de transfert de charge comprenant un premier dispositif de grille de transfert de charge (450) et un second dispositif de grille de transfert de charge (550).