WO2023087123 - IMAGE SENSORS WITH SHIELDED ELECTRONICS LAYERS
National phase entry:
Publication Number
WO/2023/087123
Publication Date
25.05.2023
International Application No.
PCT/CN2021/130782
International Filing Date
16.11.2021
Title **
[English]
IMAGE SENSORS WITH SHIELDED ELECTRONICS LAYERS
[French]
CAPTEURS D'IMAGES AVEC COUCHES D'ÉLECTRONIQUES BLINDÉES
Applicants **
SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY CO., LTD.
B507, Block A and B, Nanshan Medical Device Industrial Park, Nanhai Avenue 1019, Nanshan District
Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventors
CAO, Peiyan
B507, Block A and B, Nanshan Medical Device Industrial Park, Nanhai Avenue 1019, Nanshan District
Shenzhen, Guangdong 518000, CN
LIU, Yurun
B507, Block A and B, Nanshan Medical Device Industrial Park, Nanhai Avenue 1019, Nanshan District
Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Recalculate
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1228 | |
| EPO | Filing, Examination | 8737 | |
| Japan | Filing | 594 | |
| South Korea | Filing | 482 | |
| USA | Filing, Examination | 3110 |
Total: 14151 USD
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Abstract[English]
An imaging system(500), comprising an image sensor(510) which comprises: a stack of M radiation detectors(100) each of which comprises (A) a radiation absorption layer(110) and (B) an electronics layer(120) configured to process electrical signals generated in the radiation absorption layer(110), M being an integer greater than 1; and M collimator regions(515) respectively for the M electronics layers(120) of the M radiation detectors(100), wherein there is a reference straight line(519) for the image sensor(510) such that for each electronics layer(120) of the M electronics layers(120), every straight line(519) intersecting said each electronics layer(120) and being parallel to the reference straight line(519) intersects the corresponding collimator region(515), and wherein for each radiation absorption layer(110) of the M radiation absorption layers(110), every straight line(519) intersecting said each radiation absorption layer(110) and being parallel to the reference straight line(519) does not intersect any collimator region of the M collimator regions(515).[French]
L'invention concerne un système d'imagerie (500) comprenant un capteur d'image (510) qui comporte : un empilement de M détecteurs de rayonnement (100) composés chacun (A) d'une couche d'absorption de rayonnement (110) et (B) d'une couche d'électronique (120) configurée pour traiter les signaux électriques générés dans la couche d'absorption de rayonnement (110), M étant un nombre entier supérieur à 1 ; et M régions de collimation (515) respectivement pour les M couches d'électroniques (120) des M détecteurs de rayonnement (100), une ligne droite de référence (519) pour le capteur d'image (510) étant telle que pour chaque couche d'électronique (120) des M couches d'électronique (120), chaque ligne droite (519) croisant ladite couche d'électronique (120) et étant parallèle à la ligne droite de référence (519) croise la région de collimation correspondante (515), et, pour chaque couche d'absorption de rayonnement (110) des M couches d'absorption de rayonnement (110), chaque ligne droite (519) coupant ladite couche d'absorption de rayonnement (110) et étant parallèle à la ligne droite de référence (519) ne croisant aucune région de de collimation des M régions de collimation (515).