WO2023004661 - Semiconductor arrangement
National phase entry:
Publication Number
WO/2023/004661
Publication Date
02.02.2023
International Application No.
PCT/CN2021/109129
International Filing Date
29.07.2021
Title **
[English]
Semiconductor arrangement
[French]
AGENCEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
Applicants **
HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD.
Huawei Administration Building, Bantian, Longgang District
Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors
HOEGERL, Juergen
Leprosenweg 1
82362 Weilheim, DE
DU, Ruoyang
Huawei Administration Building, Bantian, Longgang District
Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Translation |
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Recalculate
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing | 1473 | |
| EPO | Filing, Examination | 10641 | |
| Japan | Filing | 589 | |
| South Korea | Filing | 482 | |
| USA | Filing, Examination | 3510 |
Total: 16695 USD
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Abstract[English]
A semiconductor arrangement comprises at least one power module for electric power conversion. A first mold body is arranged between a first module side and a second module side of the power module. At least one semiconductor chip is embedded within the first mold body. The first module side comprises an upper metal layer forming an upper heat dissipation surface of the at least one power module. The second module side comprises a lower metal layer forming a lower heat dissipation surface of the at least one power module. A second mold body is encapsulating the at least one power module. An upper cavity is formed in the second mold body to form an upper cooling channel. A lower cavity is formed in the second mold body to form a lower cooling channel. A respective contact area of the upper metal layer and the lower metal layer with the second mold body comprises a rough surface structure that enables a sealed connection between the respective contact area and the second mold body.[French]
Un agencement de semi-conducteur comprend au moins un module de puissance pour la conversion de puissance électrique. Un premier corps de moule est disposé entre un premier côté de module et un deuxième côté de module du module de puissance. Au moins une puce semi-conductrice est incorporée dans le premier corps de moule. Le premier côté module comprend une couche métallique supérieure formant une surface supérieure de dissipation thermique du ou des modules de puissance. Le deuxième côté module comprend une couche métallique inférieure formant une surface de dissipation de chaleur inférieure du ou des modules de puissance. Un deuxième corps de moule encapsulant la ou les modules de puissance. Une cavité supérieure est formée dans le deuxième corps de moule pour former un canal de refroidissement supérieur. Une cavité inférieure est formée dans le deuxième corps de moule pour former un canal de refroidissement inférieur. Une zone de contact respective de la couche métallique supérieure et de la couche métallique inférieure avec le second corps de moule comprend une structure de surface rugueuse qui permet une connexion étanche entre la zone de contact respective et le deuxième corps de moule.