WO2026072534 - LITHOGRAPHY MASK METHODS AND COMPOSITION

National phase entry is expected:
Publication Number WO/2026/072534
Publication Date 02.04.2026
International Application No. PCT/US2025/047464
International Filing Date 23.09.2025
Title **
[English] LITHOGRAPHY MASK METHODS AND COMPOSITION
[French] PROCÉDÉS ET COMPOSITION DE MASQUE DE LITHOGRAPHIE
Applicants **
NANI LITHOGRAPHY INC.
Inventors
AMIRAV, Lilac
Priority Data
63/698,249   24.09.2024   US
Application details
Total Number of Claims/PCT *
Number of Independent Claims *
Number of Priorities *
Number of Multi-Dependent Claims *
Number of Drawings *
Pages for Publication *
Number of Pages with Drawings *
Pages of Specification *
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International Searching Authority
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Entry into National Phase under
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Patent Delivery
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译文

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Quotation for National Phase entry

Country StagesTotal
China Filing, Examination, Granting2524
EPO Filing, Examination, Granting17978
Japan Filing, Examination, Granting2525
South Korea Filing, Examination, Granting2934
USA Filing, Examination, Granting5710
MasterCard Visa
Total: 31,671
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Abstract[English] The disclosure relates to photolithography systems, methods and masks for semiconductor fabrication, focusing on overcoming diffraction-limited critical dimensions in optical lithography. Current extreme ultraviolet (EUV) systems typically achieve critical dimensions of -12-20 nm. However, finer critical dimension yields are constrained by stochastic effects including photon shot noise, unacceptable line-edge roughness, and unacceptable random bridging or break defects. These random failures, rather than systematic aberrations, dominate yield loss for the 12-20 nm features' technologies. Attempts to reduce defects by increasing source power or resist sensitivity worsen the resolution/roughness/sensitivity trade-off, further narrowing the process window. Therefore, new lithographic methods are provided, producing sub- 10 nm features with high fidelity, low probability of stochastic defectivity, and compatibility with both 300 mm and the underserved 200 mm fabrication infrastructures.[French] La divulgation concerne des systèmes, des procédés et des masques de photolithographie pour la fabrication de semi-conducteurs, axés sur le dépassement de dimensions critiques à diffraction limitée en lithographie optique. Les systèmes à ultraviolets extrêmes (EUV) actuels atteignent typiquement des dimensions critiques de -12 à 20 nm. Cependant, des rendements de dimension critique plus fins sont limités par des effets stochastiques comprenant un bruit de grenaille, une rugosité de bord de ligne inacceptable et des défauts de pontage ou de rupture aléatoires inacceptables. Ces défaillances aléatoires, plutôt que des aberrations systématiques, constituent la principale cause de perte de rendement pour les technologies des détails de 12 à 20 nm. Des tentatives de réduction de défauts par augmentation de la puissance de source ou de la sensibilité de résine photosensible empirent le compromis résolution/rugosité/sensibilité, rétrécissant davantage la fenêtre de traitement. Par conséquent, de nouveaux procédés lithographiques sont fournis, produisant des détails inférieurs à 10 nm avec une haute fidélité, une faible probabilité de défectivité stochastique, et une compatibilité avec des infrastructures de fabrication de 300 mm comme de 200 mm, sous-dotées.