WO2025151833 - IN-SITU, PRE-IMPLANT WAFER CHARACTERIZATION SYSTEM AND METHOD
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/151833
Publication Date
17.07.2025
International Application No.
PCT/US2025/011270
International Filing Date
10.01.2025
Title **
[English]
IN-SITU, PRE-IMPLANT WAFER CHARACTERIZATION SYSTEM AND METHOD
[French]
SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE CARACTÉRISATION DE TRANCHE DE PRÉ-IMPLANT IN SITU
Applicants **
AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.
Inventors
GALICA, Scott
Priority Data
63/619,339
10.01.2024
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
| Number of Priorities | * |
| Number of Multi-Dependent Claims | * |
| Number of Drawings | * |
| Pages for Publication | * |
| Number of Pages with Drawings | * |
| Pages of Specification | * |
| * | |
| Number of Office Actions | * |
| * | |
International Searching Authority |
EPO
* |
| Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address |
Change of Applicant's Name and Address
* |
| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
* |
| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
* |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| * | |
| Entry into National Phase under |
Chapter I
* |
| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
* |
| 译文 |
|
* The data is based on automatic recognition. Please verify and amend if necessary.
** IP-Coster compiles data from publicly available sources. If this data includes your personal information, you can contact us to request its removal.
Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 2169 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 10681 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2309 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2385 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |

Total:
22,284
Contact Us
Abstract[English]
An ion implantation system includes a wafer inspection system for inspecting wafers prior to ion implantation. The inspection facilitates diagnostics by helping distinguish the performance of an ion implantation process from the performance of upstream processes that affect the ion implantation process. The inspection may take place while the wafer is on an aligner (25), while it is in a load lock chamber (17A, 17B), or while it is otherwise being processed by a wafer transport system (11) in an end station (100). The inspection may be carried out without adding delay to wafer processing. The inspection may include modulated optical resonance (MOR) spectroscopy, and the inspection may be carried out through an optical fiber (23). The optical circuit may include a wavelength coupler so that a pump laser and probe laser of the MOR system can focus through one lens (21) on a narrowly determined inspection point.[French]
La présente invention porte sur un système d'implantation ionique qui comprend un système d'inspection de tranche pour inspecter des tranches avant implantation ionique. L'inspection facilite le diagnostic en aidant à distinguer les performances d'un processus d'implantation ionique des performances de processus en amont qui affectent le processus d'implantation ionique. L'inspection peut avoir lieu tandis que la tranche se trouve sur un dispositif d'alignement (25), tandis qu'elle se trouve dans une chambre de verrouillage de charge (17A, 17B), ou alors qu'elle est autrement traitée par un système de transport de tranche (11) dans une station d'extrémité (100). L'inspection peut être effectuée sans ajout de retard à un traitement de tranche. L'inspection peut comprendre une spectroscopie par résonance optique modulée (MOR), et l'inspection peut être effectuée à travers une fibre optique (23). Le circuit optique peut comprendre un coupleur de longueur d'onde de sorte qu'un laser de pompe et un laser de sonde du système MOR peuvent focaliser à travers une lentille (21) sur un point d'inspection déterminé de manière étroite.