WO2024091424 - METHODS AND SYSTEMS FOR MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES BASED ON DERIVATIVE MEASUREMENT SIGNALS
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2024/091424
Publication Date
02.05.2024
International Application No.
PCT/US2023/035560
International Filing Date
20.10.2023
Title **
[English]
METHODS AND SYSTEMS FOR MEASUREMENT OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES BASED ON DERIVATIVE MEASUREMENT SIGNALS
[French]
PROCÉDÉS ET SYSTÈMES DE MESURE DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES SUR LA BASE DE SIGNAUX DE MESURE DÉRIVÉS
Applicants **
KLA CORPORATION
Inventors
CHOUAIB, Houssam
TAN, Zhengquan
SHAUGHNESSY, Derrick
Priority Data
63/420,087
28.10.2022
US
18/210,547
15.06.2023
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
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Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| 译文 |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 2498 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 14826 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2307 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1915 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
26,286
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
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Abstract[English]
Methods and systems measuring structural parameters characterizing a measurement target based on changes in measurement signal values and estimated changes in electrical properties, optical properties, or both, of the measurement target due to perturbation of the properties are presented herein. The electrical and optical properties of a measurement target are perturbed by inducing changes in an electric field within the measurement target under measurement. In preferred embodiments, the changes in the electric field are induced by directing a modulated beam of illumination light at the measurement target under measurement. Both the changes in the measurement signal values and estimated changes in the electrical, properties, optical properties, or both, of the measurement target are quantified and provided as input to a measurement model. In this manner, the measurement is based on the derivatives of measurement signals with respect to electrical properties, optical properties, or both.[French]
L'invention concerne des procédés et des systèmes qui mesurent des paramètres structurels caractérisant une cible de mesure sur la base de changements de valeurs de signal de mesure et de changements estimés de propriétés électriques, de propriétés optiques, ou des deux, de la cible de mesure en raison d'une perturbation des propriétés. Les propriétés électriques et optiques d'une cible de mesure sont perturbées en induisant des changements dans un champ électrique à l'intérieur de la cible de mesure en cours de mesure. Dans des modes de réalisation préférés, les changements du champ électrique sont induits en dirigeant un faisceau modulé de lumière d'éclairage au niveau de la cible de mesure en cours de mesure. À la fois les changements des valeurs de signal de mesure et les changements estimés des propriétés électriques, des propriétés optiques, ou des deux, de la cible de mesure sont quantifiés et fournis en tant qu'entrée à un modèle de mesure. De cette manière, la mesure est basée sur les dérivés de signaux de mesure par rapport à des propriétés électriques, des propriétés optiques, ou les deux.