WO2024057266 - ACOUSTIC WAVE FILTER HAVING A PIEZOELECTRIC LAYER WITH INTERDIGITAL TRANSDUCERS AND BACK ELECTRODE, AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2024/057266
Publication Date
21.03.2024
International Application No.
PCT/IB2023/059158
International Filing Date
14.09.2023
Title **
[English]
ACOUSTIC WAVE FILTER HAVING A PIEZOELECTRIC LAYER WITH INTERDIGITAL TRANSDUCERS AND BACK ELECTRODE, AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE
[French]
FILTRE À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE AYANT UNE COUCHE PIÉZOÉLECTRIQUE AVEC DES TRANSDUCTEURS INTRDIGITÉS ET UNE ÉLECTRODE ARRIÈRE, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Applicants **
SHENZHEN NEWSONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
Inventors
WENG, Guojun
TANG, Gongbin
Priority Data
17/933,070
16.09.2022
US
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
| Number of Independent Claims | * |
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EPO
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Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| 译文 |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 2575 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 12301 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2307 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2380 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 6540 |
Total:
26,103
The term for entry into the National Phase has expired. This quotation is for informational purposes only
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Abstract[English]
A surface acoustic wave, SAW, filter includes a bottom substrate (210), a piezoelectric layer (140) disposed above the bottom substrate, the piezoelectric layer having a bottom surface (140a) facing the bottom substrate and a top surface (140b) opposite to the bottom surface, a lower cavity (500a) disposed below the piezoelectric layer, an interdigital transducer, IDT, (133) disposed on the top surface of the piezoelectric layer, and a back electrode (150) disposed on the bottom surface of the piezoelectric layer, and exposed in the lower cavity; it may comprise a first dielectric layer (180) disposed between the piezoelectric layer and the bottom substrate, and surrounding the lower cavity; it may comprise an upper cavity (500b) disposed above the piezoelectric layer; a top substrate (250) covering the upper cavity; and a second dielectric layer (240) disposed between the piezoelectric layer and the top substrate, and surrounding the upper cavity. Alternatively, the IDT (133) may be disposed on the bottom surface of the piezoelectric layer and exposed in the lower cavity, and the back electrode (150) disposed on the top surface of the piezoelectric layer.[French]
Un filtre à ondes acoustiques de surface (SAW) comprend un substrat inférieur (210), une couche piézoélectrique (140) disposée au-dessus du substrat inférieur, la couche piézoélectrique ayant une surface inférieure (140a) faisant face au substrat inférieur et une surface supérieure (140b) opposée à la surface inférieure, une cavité inférieure (500a) disposée au-dessous de la couche piézoélectrique, un transducteur interdigité (IDT) (133) disposé sur la surface supérieure de la couche piézoélectrique, et une électrode arrière (150) disposée sur la surface inférieure de la couche piézoélectrique, et exposée dans la cavité inférieure; il peut comprendre une première couche diélectrique (180) disposée entre la couche piézoélectrique et le substrat inférieur, et entourant la cavité inférieure; il peut comprendre une cavité supérieure (500b) disposée au-dessus de la couche piézoélectrique; un substrat supérieur (250) recouvrant la cavité supérieure; et une seconde couche diélectrique (240) disposée entre la couche piézoélectrique et le substrat supérieur, et entourant la cavité supérieure. En variante, l'IDT (133) peut être disposé sur la surface inférieure de la couche piézoélectrique et exposé dans la cavité inférieure, et l'électrode arrière (150) disposée sur la surface supérieure de la couche piézoélectrique.