WO2023156923 - LAYERED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING COMMON CONDUCTIVE COATING ACROSS LONGITUDINAL DISCONTINUITIES

National phase entry:
Publication Number WO/2023/156923
Publication Date 24.08.2023
International Application No. PCT/IB2023/051386
International Filing Date 16.02.2023
Title **
[English] LAYERED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING COMMON CONDUCTIVE COATING ACROSS LONGITUDINAL DISCONTINUITIES
[French] DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR STRATIFIÉ AYANT UN REVÊTEMENT CONDUCTEUR COMMUN SUR DES DISCONTINUITÉS LONGITUDINALES
Applicants **
OTI LUMIONICS INC.
Inventors
WANG, Zhibin
CHANG, Yi-Lu
WANG, Qi
Priority Data
63/310,971   16.02.2022   US
Application details
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Number of Independent Claims *
Number of Priorities *
Number of Multi-Dependent Claims *
Number of Drawings *
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Number of Pages with Drawings *
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International Searching Authority
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Entry into National Phase under
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Patent Delivery
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译文

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Quotation for National Phase entry

Country StagesTotal
China Filing, Examination, Granting4282
EPO Filing, Examination, Granting22022
Japan Filing, Examination, Granting2307
South Korea Filing, Examination, Granting2463
USA Filing, Examination, Granting6540
MasterCard Visa
Total: 37,614

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Abstract[English] An opto-electronic device having a plurality of layers, comprises first electrode(s), layered stacks, both extending in a lateral aspect, and a deposited material. A first electrode has an associated emissive region. Each stack comprises a second electrode between a semiconducting layer and a patterning coating, a first one on a first electrode surface, and a second one on a structure surface adjacent thereto, separated by a first gap, that has a lateral component parallel to, and/or a longitudinal component transverse to, the lateral aspect. The material is disposed thereon for electrically coupling corresponding layer(s) of the first and second stacks, including the second electrode.[French] La présente invention concerne un dispositif optoélectronique composé d'une pluralité de couches, comprenant au moins une première électrode, des empilements de couches, s'étendant tous deux selon un aspect latéral, ainsi qu'un matériau déposé. Une première électrode comprend une région émissive associée. Chaque empilement comprend une seconde électrode entre une couche semi-conductrice et un revêtement de structuration, une première sur une première surface d'électrode et une seconde sur une surface de structure adjacente, séparées par un premier espace, qui a une composante latérale parallèle à l'aspect latéral et/ou une composante longitudinale transversale à l'aspect latéral. Le matériau est disposé pour coupler électriquement une ou plusieurs couches correspondantes des premier et second empilements, comprenant la seconde électrode.