WO2026109229 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENTS
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2026/109229
Publication Date
28.05.2026
International Application No.
PCT/EP2025/079994
International Filing Date
17.10.2025
Title **
[German]
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENTS
[English]
METHOD FOR PRODUCING A POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT
[French]
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
DANNECKER, Kevin
REGENSBURGER, Stefan
Priority Data
102024211255.0
25.11.2024
DE
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
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EPO
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Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| 译文 |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1880 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 8126 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 1938 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1631 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
18,315
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Abstract[German]
Verfahren (100, 300) zum Herstellen eines Leistungshalbleiterbauelements mit den Schritten Aufbringen (110, 310) einer ersten Schicht auf eine erste Hauptfläche einer Verkapselungsschicht, wobei die erste Schicht ein erstes Halbleitermaterial aufweist, wobei die Verkapselungsschicht einen Mehrschichtenwafer umschließt und die Verkapselungsschicht ein zweites Halbleitermaterial aufweist, das sich vom ersten Halbleitermaterial unterscheidet, wobei der Mehrschichtenwafer eine Halbleiterschicht auf einem Fremdsubstrat umfasst und die Halbleiterschicht p-dotierte Bereiche aufweist, Aktivieren (130, 330) der p-dotierten Bereiche mittels Hochtemperaturprozesses, wobei der Hochtemperaturprozess eine Temperatur größer oder gleich 1100 °C aufweist und Entfernen (140, 340) der ersten Schicht.[English]
The invention relates to a method (100, 300) for producing a power semiconductor component, comprising the steps of applying (110, 310) a first layer to a first main surface of an encapsulation layer, wherein the first layer comprises a first semiconductor material, wherein the encapsulation layer encloses a multilayer wafer and the encapsulation layer comprises a second semiconductor material different than the first semiconductor material, wherein the multilayer wafer comprises a semiconductor layer on a foreign substrate and the semiconductor layer has p-doped regions, activating (130, 330) the p-doped regions by means of a high-temperature process, wherein the high-temperature process has a temperature of greater than or equal to 1100°C, and removing (140, 340) the first layer.[French]
L'invention concerne un procédé (100, 300) de fabrication d'un composant semi-conducteur de puissance comprenant les étapes consistant à : appliquer (110, 310) une première couche sur une première surface principale d'une couche d'encapsulation, la première couche comprenant un premier matériau semi-conducteur, la couche d'encapsulation entourant une plaquette multicouche et la couche d'encapsulation comportant un deuxième matériau semi-conducteur qui diffère du premier matériau semi-conducteur, la plaquette multicouche comprenant une couche semi-conductrice sur un substrat étranger et la couche semi-conductrice comportant des zones dopées p ; activer (130, 330) les zones dopées p au moyen d'un processus à haute température, ce processus à haute température présentant une température supérieure ou égale à 1100 °C ; et retirer (140, 340) la première couche.