WO2025261910 - HALBLEITERBAUELEMENT MIT ABSCHIRMUNG
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/261910
Publication Date
26.12.2025
International Application No.
PCT/EP2025/066525
International Filing Date
13.06.2025
Title **
[German]
HALBLEITERBAUELEMENT MIT ABSCHIRMUNG
[English]
SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH SHIELDING
[French]
COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR AVEC BLINDAGE
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
BARTOLF, Holger
FEILER, Wolfgang
MARTINEZ-LIMIA, Alberto
ZIEGLER, Johannes
Priority Data
102024205560.3
17.06.2024
DE
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
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EPO
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Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| 译文 |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1882 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 8107 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2000 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1754 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
18,483
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Abstract[German]
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, insbesondere ein V-Trench- MISFET (100), aufweisend ein Substrat (102), ein Driftgebiet (104), ein darüber angeordnetes pBody-Gebiet (105) und ein Source-Gebiet (106), wobei das Source-Gebiet (106) eine sich von diesem durch das pBody-Gebiet (105) in das darunterliegende Driftgebiet (104) erstreckende Trench-Struktur (107) mit mehreren, vorzugsweise parallel angeordneten, V-förmigen Gräben (107a) aufweist, und wobei im Bodenbereich eines jeweiligen Grabens (107a) ein erstes p-dotiertes Implantationsgebiet (110) ausgebildet ist.[English]
The invention relates to a semiconductor component, in particular a V-trench MISFET (100), comprising a substrate (102), a drift region (104), a p-body region (105) arranged thereabove, and a source region (106), wherein the source region (106) comprises a trench structure (107) extending from said source region through the p-body region (105) into the underlying drift region (104) and having a plurality of V-shaped trenches (107a), preferably arranged parallel, and wherein a first p-doped implantation region (110) is formed in the bottom region of an associated trench (107a).[French]
L'invention concerne un composant semi-conducteur, en particulier un MISFET à tranchée en V (100), comprenant un substrat (102), une région de dérive (104), une région de corps p (105) disposée au-dessus et une région de source (106), la région de source (106) comprenant une structure de tranchée (107) s'étendant à partir de ladite région de source, à travers la région de corps p (105), jusque dans la région de dérive (104) sous-jacente et ayant une pluralité de tranchées en forme de V (107a), de préférence disposées parallèlement, et une première région d'implantation dopée p (110) étant formée dans la région inférieure d'une tranchée (107a) associée.