IP-Coster | WO2025247867 | FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT FINNENSTRUKTUR UND DRIFT-BEREICH

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1938
EPO	Filing, Examination, Granting	8126
Japan	Filing, Examination, Granting	2062
South Korea	Filing, Examination, Granting	1883
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[German] Die Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor (100), aufweisend: eine erster Art dotierte Trennschicht (103), einen zweiter Art dotierten ersten Anschluss-Bereich (104a) und einen zweiter Art dotierten zweiten Anschluss-Bereich (104b), die auf der erster Art dotierten Trennschicht (103) angeordnet und lateral voneinander beabstandet sind, eine oder mehrere Kanalschichten die jeweils als Finnenstruktur (110, 410) ausgebildet sind, aufweisend eine elektrische Verbindung mit einem von erstem und zweitem Anschluss-Bereich (104a), einen zweiter Art dotierten Drift-Bereich (105), der auf der erster Art dotierten Trennschicht (103) angeordnet ist, wobei die eine oder die mehreren Finnenstrukturen (110, 410) und der Drift-Bereich lateral zwischen dem ersten Anschluss-Bereich (104a) und dem zweiten Anschluss-Bereich (104b) angeordnet sind, weiterhin aufweisend eine über der einen oder den mehreren als Finnenstruktur (110, 410) ausgebildeten Kanalschichten und dem Drift-Bereich angeordnete erster Art dotierte Begrenzungsschicht (108), weiterhin aufweisend, für die eine oder jede der mehreren Finnenstrukturen, jeweils eine Gate-Struktur, jede Gate-Struktur aufweisend ein Gate-Dielektrikum (106, 407) und eine Gate-Elektrode (107, 407), wobei die Gate-Elektrode mittels des Gate-Dielektrikums gegenüber der Finnenstruktur isoliert ist.[English] The invention relates to a field effect transistor (100), comprising: a first type of doped separating layer (103), a second type of doped first connection region (104a) and a second type of doped second connection region (104b) which are arranged on the first type of doped separating layer (103) and are laterally spaced apart from one another, one or more channel layers which are each in the form of a fin structure (110, 410), having an electrical connection to one of the first and second connection regions (104a), a second type of doped drift region (105) which is arranged on the first type of doped separating layer (103), wherein the one or more fin structures (110, 410) are laterally arranged between the first connection region (104a) and the second connection region (104b), further comprising a first type of doped boundary layer (108) arranged above the one or more channel layers formed as a fin structure (110, 410) and the drift region, further comprising, for the one or each of the plurality of fin structures, in each case a gate structure, each gate structure having a gate dielectric (106, 407) and a gate electrode (107, 407), wherein the gate electrode is insulated with respect to the fin structure by means of the gate dielectric.[French] L'invention concerne un transistor à effet de champ (100) comprenant : un premier type de couche de séparation dopée (103), un second type de première région de connexion dopée (104a) et un second type de seconde région de connexion dopée (104b) qui sont placées sur le premier type de couche de séparation dopée (103) et sont espacées latéralement les unes des autres, une ou plusieurs couches de canal qui se présentent chacune sous la forme d'une structure d'ailette (110, 410), ayant une connexion électrique avec l'une des première et seconde régions de connexion (104a), un second type de région de dérive dopée (105) qui est placé sur le premier type de couche de séparation dopée (103), la ou les structures d'ailette (110, 410) étant placées latéralement entre la première région de connexion (104a) et la seconde région de connexion (104b), comprenant en outre un premier type de couche limite dopée (108) placée au-dessus de la ou des couches de canal formées comme structure d'ailette (110, 410) et la région de dérive, comprenant en outre, pour la ou chacune de la pluralité de structures d'ailette, dans chaque cas une structure de grille, chaque structure de grille ayant un diélectrique de grille (106, 407) et une électrode de grille (107, 407), l'électrode de grille étant isolée par rapport à la structure d'ailette au moyen du diélectrique de grille.

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Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
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Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
译文

WO2025247867 - FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT FINNENSTRUKTUR UND DRIFT-BEREICH

Quotation for National Phase entry

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