WO2025247863 - OPTIMIERTE LEISTUNGSAUSNUTZUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN IN LEISTUNGSMODULEN UND LEISTUNGSMODULBRÜCKEN
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2025/247863
Publication Date
04.12.2025
International Application No.
PCT/EP2025/064574
International Filing Date
27.05.2025
Title **
[German]
OPTIMIERTE LEISTUNGSAUSNUTZUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN IN LEISTUNGSMODULEN UND LEISTUNGSMODULBRÜCKEN
[English]
OPTIMISED POWER UTILISATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES IN POWER MODULES AND POWER MODULE BRIDGES
[French]
UTILISATION DE PUISSANCE OPTIMISÉE DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS DANS DES MODULES DE PUISSANCE ET DES PONTS DE MODULES DE PUISSANCE
Applicants **
ROBERT BOSCH GMBH
Inventors
WINKLER, Jonathan
REBMANN, Nils
Priority Data
102024204915.8
28.05.2024
DE
Application details
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EPO
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1880 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 8113 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 1875 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 1505 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |
Total:
18,113
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Abstract[German]
Leistungsmodul (107) zur optimalen Leistungsausnutzung von Halbleiterbauelementen (118), wobei das Leistungsmodul (107) zumindest folgende Komponente umfasst: ein Trägersubstrat, wobei das Trägersubstrat eine Auswahl von Temperaturbereichen aufweist, wobei die Temperaturbereiche nach einem Erwärmungskriterium von einer niedrigsten bis zu einer höchsten Erwärmung bei einer Betriebsbedingung innerhalb des Leistungsmoduls (107) eingestuft sind, und eine Anzahl von Halbleiterbauelementen (118), die auf dem Trägersubstrat angeordnet sind, wobei jedes Halbleiterbauelement (118) eine Halbleiterbauelement-Leistungsklasse aufweist, wobei die Halbleiterbauelement Leistungsklasse aus einer Halbleiterbauelement-Leistungsklassengruppe bestimmt wird, wobei die Halbleiterbauelement-Leistungsklassengruppe eine definierte Anzahl von Halbleiterbauelement-Leistungsklassen (206) aufweist, welche eine Leistungsfähigkeit in einer Bandbreite von Niederleistungsfähigen- Halbleiterbauelementen (124) bis Hochleistungsfähigen-Halbleiterbauelementen (120) abdecken, wobei die Halbleiterbauelemente (118) derart auf dem Trägersubstrat angeordnet sind, dass die Niederleistungsfähigen- Halbleiterbauelemente (124) innerhalb des Temperaturbereichs (204) angeordnet sind, der die geringste Erwärmung des Erwärmungskriteriums aufweist, wobei die Hochleistungsfähigen-Halbleiterbauelemente (120) innerhalb des Temperaturbereichs angeordnet sind, der die höchste Erwärmung des Erwärmungskriteriums aufweist.[English]
The invention relates to a power module (107) for optimally utilising the power of semiconductor devices (118), wherein the power module (107) comprises at least the following elements: a carrier substrate, the carrier substrate having a selection of temperature ranges, and the temperature ranges being classified according to a heating criterion from lowest to highest heating at an operating condition within the power module (107), and a number of semiconductor devices (118) arranged on the carrier substrate, wherein: each semiconductor device (118) has a semiconductor device power class; the semiconductor device power class is determined from a semiconductor device power class group; the semiconductor device power class group has a defined number of semiconductor device power classes (206) which cover a performance in a bandwidth from low-performance semiconductor devices (124) to high-performance semiconductor devices (120); the semiconductor devices (118) are arranged on the carrier substrate in such a way that the low-performance semiconductor devices (124) are arranged within the temperature range (204) which has the lowest heating of the heating criterion; and the high-performance semiconductor devices (120) are arranged within the temperature range which has the highest heating of the heating criterion.[French]
L'invention concerne un module de puissance (107) destiné à utiliser de manière optimale la puissance de dispositifs à semi-conducteur (118), le module de puissance (107) comprenant au moins les éléments suivants : un substrat de support, le substrat de support ayant une sélection de plages de température, et les plages de température étant classées selon un critère de chauffage du chauffage le plus bas au chauffage le plus élevé à une condition de fonctionnement à l'intérieur du module de puissance (107), et un certain nombre de dispositifs à semi-conducteur (118) disposés sur le substrat de support, chaque dispositif à semi-conducteur (118) ayant une classe de puissance de dispositif à semi-conducteur ; la classe de puissance de dispositif à semi-conducteur est déterminée dans un groupe de classes de puissance de dispositif à semi-conducteur ; le groupe de classes de puissance de dispositif à semi-conducteur a un nombre défini de classes de puissance de dispositif à semi-conducteur (206) qui couvre une performance dans une largeur de bande de dispositifs à semi-conducteur à faible performance (124) jusqu'à des dispositifs à semi-conducteur haute performance (120) ; les dispositifs à semi-conducteur (118) sont disposés sur le substrat de support de telle sorte que les dispositifs à semi-conducteur à faible performance (124) soient agencés dans la plage de température (204) qui a le chauffage le plus bas du critère de chauffage ; et les dispositifs à semi-conducteur à haute performance (120) sont agencés dans la plage de température qui a le chauffage le plus élevé du critère de chauffage.