IP-Coster | WO2025113858 | SYSTEM, VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM PARALLELEN ANSTEUERN VON TRANSISTOREN UNTERSCHIEDLICHER HALBLEITERTECHNOLOGIE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1880
EPO	Filing, Examination, Granting	8113
Japan	Filing, Examination, Granting	1998
South Korea	Filing, Examination, Granting	1757
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[German] Offenbart ist ein Verfahren, eine Vorrichtung und ein System zum parallelen Ansteuern einer Vielzahl von Transistoren unterschiedlicher Halbleitertechnologie mit einer anwendungsspezifischen integrierten Schaltung. Das Verfahren umfasst die Schritte: Anlegen einer Versorgungsspannung an einen ersten Transistor einer ersten Halbleitertechnologie und an einen zweiten Transistor einer zweiten Halbleitertechnologie; Laden des ersten Transistors mit einem ersten Gate-Ladestrom und/oder Laden des zweiten Transistors mit einem zweiten Gate-Ladestrom; Ermitteln eines schaltrelevanten Transistorparameters des ersten Transistors in Antwort auf den ersten Gate-Ladestrom und/oder Ermitteln eines schaltrelevanten Transistorparameters des zweiten Transistors in Antwort auf den zweiten Gate-Ladestrom; Anpassen eines Ansteuerprofils zum Schalten des ersten Transistors basierend auf dem ermittelten Transistorparameter des ersten Transistors und Anpassen eines Ansteuerprofils zum Schalten des zweiten Transistors basierend auf dem ermittelten Transistorparameter des ersten Transistors und/oder dem ermittelten Transistorparameter des zweiten Transistors; und Ansteuern des ersten Transistors gemäß dem angepassten Ansteuerprofil zum Schalten des ersten Transistors und/oder Ansteuern des zweiten Transistors gemäß dem angepassten Ansteuerprofil zum Schalten des zweiten Transistors.[English] The invention relates to a method, a device and a system for activating a plurality of transistors with different semiconductor technology in parallel by means of an application-specific integrated circuit. The method comprises the steps of: applying a supply voltage to a first transistor with a first semiconductor technology and to a second transistor with a second semiconductor technology; charging the first transistor with a first gate charging current and/or charging the second transistor with a second gate charging current; determining a switching-relevant transistor parameter of the first transistor in response to the first gate charging current and/or determining a switching-relevant transistor parameter of the second transistor in response to the second gate charging current; adapting an activation profile for switching the first transistor on the basis of the determined transistor parameter of the first transistor and adapting an activation profile for switching the second transistor on the basis of the determined transistor parameter of the first transistor and/or the determined transistor parameter of the second transistor; and activating the first transistor in accordance with the adapted activation profile for switching the first transistor and/or activating the second transistor in accordance with the adapted activation profile for switching the second transistor.[French] L'invention concerne un procédé, un dispositif et un système d'activation d'une pluralité de transistors à technologie semi-conductrice différente en parallèle au moyen d'un circuit intégré spécifique à une application. Le procédé comprend les étapes consistant à : appliquer une tension d'alimentation à un premier transistor avec une première technologie semi-conductrice et à un deuxième transistor avec une deuxième technologie semi-conductrice ; charger le premier transistor avec un premier courant de charge de grille et/ou charger le deuxième transistor avec un deuxième courant de charge de grille ; déterminer un paramètre de transistor pertinent pour la commutation du premier transistor en réponse au premier courant de charge de grille et/ou déterminer un paramètre de transistor pertinent pour la commutation du deuxième transistor en réponse au deuxième courant de charge de grille ; adapter un profil d'activation pour commuter le premier transistor sur la base du paramètre de transistor déterminé du premier transistor et adapter un profil d'activation pour commuter le deuxième transistor sur la base du paramètre de transistor déterminé du premier transistor et/ou du paramètre de transistor déterminé du deuxième transistor ; et activer le premier transistor conformément au profil d'activation adapté pour commuter le premier transistor et/ou activer le deuxième transistor conformément au profil d'activation adapté pour commuter le deuxième transistor.

Total Number of Claims/PCT	*
Number of Independent Claims	*
Number of Priorities	*
Number of Multi-Dependent Claims	*
Number of Drawings	*
Pages for Publication	*
Number of Pages with Drawings	*
Pages of Specification	*
Sequence Listing	*
Number of Office Actions	*
International Search Report is established	*
International Searching Authority	EPO *
Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
译文

WO2025113858 - SYSTEM, VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM PARALLELEN ANSTEUERN VON TRANSISTOREN UNTERSCHIEDLICHER HALBLEITERTECHNOLOGIE

Quotation for National Phase entry

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