IP-Coster | WO2026113636 | PHOTONIC INTEGRATED CHIP AND FORMING METHOD THEREFOR

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	2101
EPO	Filing, Examination, Granting	17368
Japan	Filing, Examination, Granting	2493
South Korea	Filing, Examination, Granting	2861
USA	Filing, Examination, Granting	5940

Abstract[English] A photonic integrated chip and a forming method therefor. The method comprises: providing a first substrate having a first side and a second side opposite to each other, the first substrate comprising a bottom structural layer and a MEMS structural material layer located on the bottom structural layer; etching the MEMS structural material layer from the second side to form a MEMS structural layer, the MEMS structural layer comprising a movable portion; forming a silicon photonic structural layer from the second side, the silicon photonic structural layer being stacked with the MEMS structural layer, the silicon photonic structural layer comprising a first waveguide layer, and the movable portion being used for driving the first waveguide layer; after forming the silicon photonic structural layer, bonding the first substrate to a second substrate; after bonding the first substrate to the second substrate, removing the bottom structural layer from the first side; and after removing the bottom structural layer, forming a first oxide layer from the first side, the first oxide layer being stacked with the MEMS structural layer, and the MEMS structural layer being located between the silicon photonic structural layer and the first oxide layer. The photonic integrated chip formed by the method provided by the present invention has high performance and is easy to drive.[French] L'invention concerne une puce photonique intégrée et un procédé de formation s'y rapportant. Le procédé consiste à : fournir un premier substrat ayant un premier côté et un second côté opposés l'un à l'autre, le premier substrat comprenant une couche structurelle inférieure et une couche de matériau structurel MEMS située sur la couche structurelle inférieure ; graver la couche de matériau structurel MEMS à partir du second côté pour former une couche structurelle MEMS, la couche structurelle MEMS comprenant une partie mobile ; former une couche structurelle photonique en silicium à partir du second côté, la couche structurelle photonique en silicium étant empilée avec la couche structurelle MEMS, la couche structurelle photonique en silicium comprenant une première couche de guide d'ondes, et la partie mobile étant utilisée pour attaquer la première couche de guide d'ondes ; après la formation de la couche structurelle photonique en silicium, lier le premier substrat à un second substrat ; après la liaison du premier substrat au second substrat, retirer la couche structurelle inférieure du premier côté ; et après le retrait de la couche structurelle inférieure, former une première couche d'oxyde à partir du premier côté, la première couche d'oxyde étant empilée avec la couche structurelle MEMS, et la couche structurelle MEMS étant située entre la couche structurelle photonique en silicium et la première couche d'oxyde. La puce intégrée photonique formée par le procédé selon la présente invention présente une performance élevée et est facile à attaquer.[Chinese] 一种光子集成芯片及其形成方法，方法包括：提供第一基底，具有相对的第一侧和第二侧，第一基底包括底部结构层、以及位于底部结构层上的MEMS结构材料层；自第二侧刻蚀MEMS结构材料层，形成MEMS结构层，MEMS结构层包括可动部；自第二侧形成硅光结构层，硅光结构层与MEMS结构层相堆叠，硅光结构层包括第一波导层，可动部用于驱动第一波导层；在形成硅光结构层之后，将第一基底与第二基底键合；将第一基底与第二基底键合后，自第一侧去除底部结构层；去除底部结构层后，自第一侧形成第一氧化层，第一氧化层与MEMS结构层相堆叠，MEMS结构层位于硅光结构层和第一氧化层之间。本发明提供的方法所形成的光子集成芯片具备高性能且易于驱动。

Total Number of Claims/PCT	*
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Recordal of a Change of the Applicant's Name/Address	Change of Applicant's Name and Address *
Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Legal Entity *
Small Entity	*
Non-Commercial Organization	*
Micro Entity	*
Small Entity, USA	*
Micro Entity, USA	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
译文

WO2026113636 - PHOTONIC INTEGRATED CHIP AND FORMING METHOD THEREFOR

Quotation for National Phase entry

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