WO2026046122 - MICRO LIGHT-EMITTING DIODE DISPLAY PANEL AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE

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Publication Number WO/2026/046122
Publication Date 05.03.2026
International Application No. PCT/CN2025/116763
International Filing Date 25.08.2025
Title **
[English] MICRO LIGHT-EMITTING DIODE DISPLAY PANEL AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
[French] PANNEAU D'AFFICHAGE À MICRO-DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, AINSI QUE DISPOSITIF D'AFFICHAGE
[Chinese] 微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置
Applicants **
QINGDAO GOERPIXELS TECHNOLOGY CO., LTD.
Inventors
LIU, Rusheng
LI, Yanming
CHEN, Zhenzhang
LIN, Changting
TANG, Yingying
Priority Data
202411188105.4   27.08.2024   CN
Application details
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译文

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Quotation for National Phase entry

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China Filing, Examination, Granting1634
EPO Filing, Examination, Granting11576
Japan Filing, Examination, Granting2062
South Korea Filing, Examination, Granting1938
USA Filing, Examination, Granting4740
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Abstract[English] The present disclosure relates to the technical field of display, and provides a micro light-emitting diode display panel and a preparation method therefor, and a display device. The preparation method for the micro light-emitting diode display panel comprises: providing a substrate, and forming on the substrate pixel units arranged in an array, each pixel unit comprising at least three micro light-emitting diode structures, and in a direction away from the substrate, each micro light-emitting diode structure comprising a stress buffer layer, a light-emitting stack structure, and an electrode layer which are sequentially disposed, wherein the stress buffer layer is a nanoporous structure; bonding the electrode layers of the substrate to a drive backplane, so that the electrode layer of each micro light-emitting diode structure is connected to a drive circuit corresponding to the micro light-emitting diode structure; removing at least the substrate to expose the stress buffer layers; and embedding a color-conversion quantum dot material into the stress buffer layers of some of the micro light-emitting diode structures. The micro light-emitting diode display panel manufactured in the present invention has a high yield, and the preparation method is simple and facilitates large-scale mass production.[French] La présente divulgation se rapporte au domaine technique de l'affichage et concerne un panneau d'affichage à micro-diodes électroluminescentes et un procédé de préparation associé, ainsi qu'un dispositif d’affichage. Le procédé de préparation du panneau d'affichage à micro-diodes électroluminescentes comprend les étapes consistant à : fournir un substrat et former, sur les unités de pixel de substrat agencées en un réseau, chaque unité de pixel comprenant au moins trois structures de micro-diode électroluminescente et, dans une direction à l'opposé du substrat, chaque structure de micro-diode électroluminescente comprenant une couche tampon de contrainte, une structure d'empilement électroluminescent et une couche d'électrode qui sont disposées de manière séquentielle, la couche tampon de contrainte étant une structure nanoporeuse ; lier les couches d'électrode du substrat à un fond de panier d'attaque, de telle sorte que la couche d'électrode de chaque structure de micro-diode électroluminescente est connectée à un circuit d'attaque correspondant à la structure de micro-diode électroluminescente ; retirer au moins le substrat pour exposer les couches tampons de contrainte ; et incorporer un matériau à points quantiques de conversion de couleur dans les couches tampons de contrainte de certaines des micro-structures de diodes électroluminescentes. Le panneau d'affichage à micro-diodes électroluminescentes fabriqué dans la présente invention présente un rendement élevé et le procédé de préparation est simple et facilite la production de masse à grande échelle.[Chinese] 本公开提供了一种微发光二极管显示面板及其制备方法和显示装置,涉及显示技术领域。微发光二极管显示面板的制备方法,包括:提供衬底,在衬底上形成阵列排布的像素单元;每个像素单元包括至少三个微发光二极管结构;在远离衬底的方向上,每个微发光二极管结构包括依次设置的应力缓冲层、发光堆叠结构以及电极层;其中,应力缓冲层为纳米多孔结构;将衬底的电极层与驱动背板键合,以使每个微发光二极管结构的电极层和与微发光二极管结构相对应的驱动电路连接;至少去除衬底,以暴露应力缓冲层;将颜色转换量子点材料嵌入部分微发光二极管结构的应力缓冲层中。本发明所制得的微发光二极管显示面板良率高,且制备方法简单,便于大规模量产。