IP-Coster | WO2026026491 | NOVEL GATE CORE STRUCTURE WITH REDUCED SIZE

Country	Stages	Total
China	Filing, Examination, Granting	1576
EPO	Filing, Examination, Granting	8697
Japan	Filing, Examination, Granting	1846
South Korea	Filing, Examination, Granting	1472
USA	Filing, Examination, Granting	4740

Abstract[English] Disclosed in the present invention is a novel gate core structure with a reduced size. In the present invention, a gate used for internal regulation is enclosed within a semiconductor, with its structural configuration ranging from single-sided to multi-sided, and can be made in different shapes; and when no metal is contained, reverse doping of a conductive channel can be performed. Such an inner gate structure can be used as a gate alone or in combination with an outer gate structure. The inner gate structure fully utilizes the outer surface of the gate, has a gate control capability different from that of an outer gate, a flexible gate control capability, and a small occupied area, and facilitates the miniaturization of a device. Since inside a semiconductor, the shape restrictions on the inner gate are significantly fewer than those on the outer gate, the outer gate needs to change with the outer surface of the semiconductor, while the inner gate can change arbitrarily without affecting arbitrary changes in the shape of the semiconductor. In this way, both the semiconductor and the gate have shape adjustability, making the design easier. The design of a semiconductor device model under the inner gate can easily change with a regulated current, thereby improving the current control capability.[French] La présente invention concerne une nouvelle structure de grille centrale ayant une taille réduite. Dans la présente invention, une grille utilisée pour une régulation interne est enfermée à l'intérieur d'un semi-conducteur, sa configuration structurale allant d'un seul côté à de multiples côtés, et peut être réalisée sous différentes formes ; et lorsqu'aucun métal n'est contenu, un dopage inverse d'un canal conducteur peut être effectué. Une telle structure de grille interne peut être utilisée comme grille seule ou en combinaison avec une structure de grille externe. La structure de grille interne utilise pleinement la surface externe de la grille, a une fonction de commande par la grille différente de celle d'une grille externe, une fonction de commande par la grille flexible et un faible encombrement, et facilite la miniaturisation d'un dispositif. Étant donné qu'à l'intérieur d'un semi-conducteur, les restrictions de forme sur la grille interne sont considérablement moindres que celles sur la grille externe, la grille externe doit varier selon la surface externe du semi-conducteur, tandis que la grille interne peut varier arbitrairement sans imposer des changements arbitraires de la forme du semi-conducteur. De cette manière, le semi-conducteur et la grille ont tous les deux une capacité d'ajustement de forme, ce qui facilite la conception. La conception d'un modèle de dispositif à semi-conducteur à grille interne peut facilement varier avec un courant régulé, ce qui permet d'améliorer la capacité de commande de courant.[Chinese] 本发明公开了一种尺寸微缩下一类新型栅极芯结构。本发明中，做将栅极做内部调控，处于半导体的包围中，可以是从单面到多面，并且可以做不同形状，不含金属时可做导电沟道反向掺杂。此类内栅结构可单独做栅极使用，也可与外栅结构组合使用。此类内栅结构充分利用了栅极外表面，具有与外栅不同的栅控能力、灵活的栅控能力和更小的占地面积，易于使器件进行微缩；由于在在半导体内部，形状限制明显少于外栅，外栅需要跟随半导体外表面变化，内栅可任意变化，且不影响半导体形状随意变化，这样半导体和栅极同时具有形状可调节性，设计起来将更轻松，内栅下的半导体器件模型设计可更容易跟随所调控电流变化，更有利于提高电流的控制能力。

Total Number of Claims/PCT	*
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Type of Assignment	The Standard Agent's Assignment *
Applicant's Legal Status	Natural Person *
All Applicants are Authors	*
Small Entity, US	*
Micro Entity, US	*
Applicant's annual total income is below JPY 2.5 million	*
Applicant's annual total income is below JPY 1.5 million	*
Entry into National Phase under	Chapter I *
Patent Delivery	Send the Letters Patent by Courier *
译文

WO2026026491 - NOVEL GATE CORE STRUCTURE WITH REDUCED SIZE

Quotation for National Phase entry

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