WO2026002147 - MICRO LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
National phase entry is expected:
Publication Number
WO/2026/002147
Publication Date
02.01.2026
International Application No.
PCT/CN2025/103999
International Filing Date
26.06.2025
Title **
[English]
MICRO LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
[French]
MICROÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
[Chinese]
一种微发光元件及其制备方法
Applicants **
QUANZHOU SANAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD.
Inventors
LV, Jiaxin
HE, Anhe
LIU, Peng
ZENG, Mingjun
LI, Anping
HUANG, Shaohua
LIN, Kechuang
CAI, Wenbi
Priority Data
202410851179.5
27.06.2024
CN
Application details
| Total Number of Claims/PCT | * |
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International Searching Authority |
CNIPA
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Change of Applicant's Name and Address
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| Type of Assignment |
The Standard Agent's Assignment
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| Applicant's Legal Status |
Legal Entity
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| Entry into National Phase under |
Chapter I
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| Patent Delivery |
Send the Letters Patent by Courier
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| 译文 |
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Quotation for National Phase entry
| Country | Stages | Total | |
|---|---|---|---|
| China | Filing, Examination, Granting | 1779 | |
| EPO | Filing, Examination, Granting | 12570 | |
| Japan | Filing, Examination, Granting | 2215 | |
| South Korea | Filing, Examination, Granting | 2265 | |
| USA | Filing, Examination, Granting | 4740 |

Total:
23,569
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Abstract[English]
A micro light emitting element and a manufacturing method therefor. The micro light emitting element comprises: a driving substrate (101); a first bonding layer (102) arranged on the driving substrate (101), the first bonding layer (102) comprising patterned metal layers (1021) and insulating layers (1022) each arranged between two metal layers (1021); a plurality of LED units (120), each LED unit (120) comprising: a second bonding layer (103) arranged on the first bonding layer (102), the second bonding layers (103) between adjacent LED units (120) being disconnected; an epitaxial layer (104), the epitaxial layer (104) comprising: a second semiconductor layer (107) arranged on the second bonding layer (103); an active layer (106) arranged on the second semiconductor layer (107); a first semiconductor layer (105) arranged on the active layer (106); a passivation layer (108) arranged on the outer wall of the epitaxial layer (104) and provided with an opening on the top surface of the epitaxial layer (104); and an N electrode layer (109) deposited above the passivation layer (108). Thus, the proposed etching process for the micro light-emitting element reduces process complexity and effectively avoids the problems such as over-etching, incomplete etching, metal residue on sidewalls, thereby improving the product yield of micro light emitting elements.[French]
L'invention concerne un microélément électroluminescent et son procédé de fabrication. Le microélément électroluminescent comprend : un substrat d'attaque (101) ; une première couche de liaison (102) disposée sur le substrat d'attaque (101), la première couche de liaison (102) comprenant des couches métalliques à motifs (1021) et des couches isolantes (1022) disposées chacune entre deux couches métalliques (1021) ; une pluralité d'unités de DEL (120), chaque unité de DEL (120) comprenant : une seconde couche de liaison (103) disposée sur la première couche de liaison (102), les secondes couches de liaison (103) entre les unités de DEL adjacentes (120) étant déconnectées ; une couche épitaxiale (104), la couche épitaxiale (104) comprenant : une seconde couche semi-conductrice (107) disposée sur la seconde couche de liaison (103) ; une couche active (106) disposée sur la seconde couche semi-conductrice (107) ; une première couche semi-conductrice (105) disposée sur la couche active (106) ; une couche de passivation (108) disposée sur la paroi externe de la couche épitaxiale (104) et pourvue d'une ouverture sur la surface supérieure de la couche épitaxiale (104) ; et une couche d'électrode N (109) déposée au-dessus de la couche de passivation (108). Ainsi, le procédé de gravure proposé pour le microélément électroluminescent est moins complexe et permet d'éviter efficacement les problèmes tels que la gravure excessive, la gravure incomplète ou les résidus métalliques sur les parois latérales, améliorant ainsi le rendement des microéléments électroluminescents.[Chinese]
一种微发光元件及其制备方法,微发光元件包括:驱动基板(101);第一键合层(102),设置于驱动基板(101)之上,第一键合层(102)包括图案化的金属层(1021)和设置在金属层(1021)之间的绝缘层(1022);若干个LED单元(120),每个LED单元(120)包括:第二键合层(103),设置于第一键合层(102)之上,相邻LED单元(120)之间的第二键合层(103)断开;外延层(104),外延层(104)包括:第二半导体层(107),设置于第二键合层(103)上;有源层(106),设置在第二半导体层(107)上;第一半导体层(105),设置在有源层(106)上;钝化层(108),设置于外延层(104)外壁,并在外延层(104)顶面有开孔;N电极层(109),沉积于钝化层(108)上方。由此提出的微发光元件蚀刻工艺难度降低,有效避免过度蚀刻、蚀刻不完全、侧壁金属残留等问题,提高微发光元件的产品良率。